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IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。IGBT Modules 在使用中的注意事项由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；尽量在底板良好接地的情况下操作。龙岗区特色IGBT模块在当地已经深受大家的青睐。
b、主电路用螺丝拧紧，控制极g要用插件，尽可能不用焊接方式。c、装卸时应采用接地工作台，接地地面，接地腕带等防静电措施。 d、仪器测量时，将1000电阻与g极串联。e、要在无电源时进行安装。f,焊接g极时，电烙铁要停电并接地，选用定温电烙铁 合适。当手工焊接时，温度260±5℃.时间（10±1）秒，松香焊剂。波峰焊接时，PCB板要预热80℃-105℃,在245℃时浸入焊接3-4。
IGBT发展趋向是高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠、低成本为目标的，特别是发展高压变频器的应用，简化其主电路，减少使用器件，提高可靠性，降 造成本，简化调试工作等，都与IGBT有密切的内在联系，所以世界各大器件公司都在奋力研究、开发，予估近2-3年内，会有突破性的进展。已有适用于高压变频器的有电压型HV-IGBT,igct,电流型sgct等。
散热基板（铜、铝碳化硅AlSiC）：海特信、谷捷、百富都机电、嘉善高磊金属制品、CPS、Denka、苏州思萃、西安明科、西安创正、西安法迪、富仕多、西安晶奕、北京宝航、湖南浩威特、苏州汉汽航空、泰格尔、日本精密陶瓷...硅胶：陶氏化学、日本信越、埃肯、迈图、瓦克、杭州之江、上海拜高、晨日科技、成都拓利...焊料：先艺电子、金川岛、铟泰...散热器：海益博、迈泰...外壳工程塑料（PPS、PBT、高温尼龙）：时代新材、金发科技、苏州纳磐有着先进的设备和专业的技术。
IGBT功率模块是以绝缘栅双极型晶体管（IGBT）构成的功率模块。由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离，具有出色的器件性能。广泛应用于伺服电机、变频器、变频家电等领域。IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低，开关频率高（可达20khz），这两点非常显着的特性， 近西门子公司又推出低饱和压降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳，相继东芝、富士、ir,摩托罗拉亦已在开发研制新品种。每年都会参加相关的论坛。惠州通用IGBT模块
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另外，通过模块封装方式还可提供众多派生产品，在大、中容量变换器应用中被寄予厚望。日本东芝开发的IEGT利用了“电子注入增 应”，使之兼有IGBT和GTO两者的优点：低饱和压降，宽安全工作区(吸收回路容量 为GTO的1/10左右)，低栅极驱动功率(比GTO低两个数量级)和较高的工作频率。器件采用平板压接式电极引出结构，可靠性高，性能已经达到4.5KV/2100A的水平。采用适当的MOS栅结构，在促进电子注入效应增大时，从沟道注入N层的电子电流也相应增加。如果采用槽形结构，则沟道的迁移率增大。该槽栅越深，促进电子注入的效果越显 。对于一般IGBT，电子电流占总电流比率小于0.75。而对于P-IEGT，由于有促进电子的注入效应，可使这一比率超过0.75。对于T-IGET，其电流比率为0.8以上，性能有较大改进。其结果使IEGT的通态电压呈现较低值，可与普通晶闸管相当。IEGT具有高速导通晶闸管同样微细的MOS栅结构，又有IGBT同样的导通能力，作为脉冲功率用器件受到重视。龙岗区特色IGBT模块
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