IGBT模块是先进的第三代功率模块，工作频率1-20KHZ，主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即DC/AC变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、MOSFET，双极型达林顿管等,目今功率可高达1MW的低频应用中，单个元件电压可达4.0KV（PT结构）—6.5KV（NPT结构），电流可达1.5KA，是较为理想的功率模块。追其原因是第三代IGBT模块，它是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。企业文化是尊重诚信专业。比较好的IGBT模块市场价
栅极漏电流指对应集-射极短路，Vce=20V时，，栅极的漏电流。8、集电极关断电流指栅极到发射极短路，集-射极电压为20V时，集电极的电流。9、高结温指IEGT从可正常使用而不损坏时，所允许的内部PN结高温度。10、导通损耗指IEGT从关断到导通的全过程中总的能量损耗，其终的集电极电流为器件的额定电流。11、关断损耗指IEGT从导通到关断的全过程中总的能量损耗，其初的集电极电流为器件的额定电流。应用行业35kV SVG，柔性输电项目，机车牵引等新丰比较好的IGBT模块努力打造行业里面的榜样。
1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构(P-N-P-N四层组成)，其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS(双扩散形成的金属-氧化物-半导体)工艺被采用到IGBT中来。[2]在那个时候，硅芯片的结构是一种较厚的NPT(非穿通)型设计。后来，通过采用PT(穿通)型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显某著改进，这是随着硅片上外延的技术进步，以及采用对应给定阻断电压所设计的n+缓冲层而进展的[3]。几年当中，这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构，其设计规则从5微米先进到3微米。
由于 IGBT 的技术门槛高、技术难度大、资金要求高，国内企业产业化起步较晚，IGBT 市场仍主要由欧美日企业占据，随着IGBT 模块的广泛应用，市场需求量逐步增大，众多国内企业开始发力 IGBT 领域，国内产业化水平有了一定提升，部分企业已经实现量产，但与国外企业相比，仍有一定差距。易事特、国电南瑞、特锐德、科士达、许继电气、阳光电源、中天科技、中恒电气、科陆电子、众业达、鹏辉能源、科大智能、盛弘股份、金冠股份、和顺电气、动力源、奥特迅...目前有员工多少人呢？
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。测量静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大; 表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子, 显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此IGBT的两个单元没有明显的故障. 动态测试: 把万用表的档位放在乘10K档,用黑表笔接4端子很多实体商家都是找他们选购的。比较好的IGBT模块
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这就是：穿通(PT)技术会有比较高的载流子注入系数，而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。另一方面，非穿通(NPT)技术则是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率，不过其载流子注入系数却比较低。进而言之，非穿通(NPT)技术又被软穿通(LPT)技术所代替，它类似于某些人所谓的“软穿通”(SPT)或“电场截止”(FS)型技术，这使得“成本—性能”的综合效果得到进一步改善。1996年，CSTBT(载流子储存的沟槽栅双极晶体管)使第5代IGBT模块得以实现[6]，它采用了弱穿通(LPT)芯片结构，又采用了更先进的宽元胞间距的设计。包括一种“反向阻断型”(逆阻型)功能或一种“反向导通型”(逆导型)功能的IGBT器件的新概念正在进行研究，以求得进一步优化。比较好的IGBT模块市场价
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