F40系列将您的显微镜变成薄膜测量工具F40产品系列用于测量小到1微米的光斑。对大多数显微镜而言，F40能简单地固定在c型转接器上，这样的转接器是显微镜行业标准配件。F40配备的集成彩色摄像机，能够对测量点进行准确监控。在1秒钟之内就能测定厚度和折射率。像我们所有的台式仪器一样，F40需要连接到您装有Windows计算机的USB端口上并在数分钟内完成设定。F40：20nm-40µm400-850nmF40-EXR：20nm-120µm400-1700nmF40-NIR：40nm-120µm950-1700nmF40-UV：4nm-40µm190-1100nmF40-UVX：4nm-120µm190-1700nmF50-s980测厚范围：4µm-1mm；波长：960-1000nm。半导体膜厚仪
电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业,而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。测量范例氮化硅薄膜作为电介质，钝化层，或掩膜材料被广泛应用于半导体产业。这个案例中，我们用F20-UVX成功地测量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系数。有趣的事，氮化硅薄膜的光学性质与薄膜的分子当量紧密相关。使用Filmetrics专有的氮化硅扩散模型，F20-UVX可以很容易地测量氮化硅薄膜的厚度和光学性质，不管他们是富硅，贫硅，还是分子当量。白光干涉膜厚仪质保期多久厚度变化 (TTV) ；沟槽深度；过孔尺寸、深度、侧壁角度。
参考材料
备用 BK7 和二氧化硅参考材料。
BG-Microscope显微镜系统内取背景反射的小型抗反光镜
BG-F10-RT平台系统内获取背景反射的抗反光镜
REF-Al-1mmSubstrate基底 - 高反射率铝基准
REF-Al-3mmSubstrate基底 - 高反射率铝基准
REF-BK71½" x 1½" BK7 反射基准。
REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未经处理的石英，用于双界面基准。
REF-Si-22" 单晶硅晶圆
REF-Si-44" 单晶硅晶圆
REF-Si-66" 单晶硅晶圆
REF-Si-88" 单晶硅晶圆
REF-SS3-Al專為SS-3样品平台設計之铝反射率基准片
REF-SS3-BK7專為SS-3样品平台設計之BK7玻璃反射率基准片
REF-SS3-Si專為SS-3样品平台設計之硅反射率基准片
备用光源：LAMP-TH1-5PAK：F10、F20、F30、F40、F50、和F60系统的非紫外光源。5个/盒。1200小时平均无故障。LAMP-TH：F42F42系统的光源。1000小时平均无故障。LAMP-THF60：F60系统的光源。1000小时平均无故障。LAMP-THF80：F80系统的光源。1000小时平均无故障。LAMP-D2-L10290：L10290氘光源。2007年到2014年F20-UV的使用者。LAMP-TH-L10290：L10290钨卤素光源。2007年到2014年F20-UV的使用者。LAMP-D2-LS和DT2：LS和DT2光源需更换氘灯,而卤素灯光源需更换使用LAMP-TH1-5PAK.F10-AR在用户定义的任何波长范围内都能进行比较低、比较高和平均反射测试。
非晶态多晶硅硅元素以非晶和晶体两种形式存在,在两级之间是部分结晶硅。部分结晶硅又被叫做多晶硅。非晶硅和多晶硅的光学常数(n和k)对不同沉积条件是独特的，必须有精确的厚度测量。测量厚度时还必须考虑粗糙度和硅薄膜结晶可能的风化。Filmetrics设备提供的复杂的测量程序同时测量和输出每个要求的硅薄膜参数，并且“一键”出结果。测量范例多晶硅被广范用于以硅为基础的电子设备中。这些设备的效率取决于薄膜的光学和结构特性。随着沉积和退火条件的改变，这些特性随之改变，所以准确地测量这些参数非常重要。监控晶圆硅基底和多晶硅之间，加入二氧化硅层，以增加光学对比，其薄膜厚度和光学特性均可测得。F20可以很容易地测量多晶硅薄膜的厚度和光学常数，以及二氧化硅夹层厚度。Bruggeman光学模型被用来测量多晶硅薄膜光学特性。可测量的层数: 通常能够测量薄膜堆内的三层**薄膜。 在某些情况下，能够测量到十几层。Filmetrics F3-SX膜厚仪美元报价
产品型号：FSM 413EC, FSM 413MOT，FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM 8108 VITE C2C。半导体膜厚仪
铟锡氧化物与透明导电氧化物液晶显示器，有机发光二极管变异体，以及绝大多数平面显示器技术都依靠透明导电氧化物(TCO)来传输电流，并作每个发光元素的阳极。和任何薄膜工艺一样，了解组成显示器各层物质的厚度至关重要。对于液晶显示器而言，就需要有测量聚酰亚胺和液晶层厚度的方法，对有机发光二极管而言，则需要测量发光、电注入和封装层的厚度。在测量任何多个层次的时候，诸如光谱反射率和椭偏仪之类的光学技术需要测量或建模估算每一个层次的厚度和光学常数(反射率和k值)。不幸的是，使得氧化铟锡和其他透明导电氧化物在显示器有用的特性，同样使这些薄膜层难以测量和建模，从而使测量在它们之上的任何物质变得困难。Filmetrics的氧化铟锡解决方案Filmetrics已经开发出简便易行而经济有效的方法，利用光谱反射率精确测量氧化铟锡。将新型的氧化铟锡模式和F20-EXR,很宽的400-1700nm波长相结合，从而实现氧化铟锡可靠的“一键”分析。氧化铟锡层的特性一旦得到确定，剩余显示层分析的关键就解决了。半导体膜厚仪
