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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

这使得可以在工业水平上开发新的设备或工艺,这不仅需要高度的灵活性,而且需要可控和可重复的处理。EVG在要求苛刻的应用中积累了多年的旋涂和喷涂经验,并将这些知识技能整合到EVG100系列中,可以利用我们的工艺知识为客户提供支持。


光刻胶处理设备有:EVG101光刻胶处理,EVG105光刻胶烘焙机,EVG120光刻胶处理自动化系统;EVG150 光刻胶处理自动化系统。如果您需要了解每个型号的特点和参数,请联系我们,我们会给您提供**/新的资料。或者访问我们的官网获取相关信息。


HERCULES光刻机系统:全自动光刻跟/踪系统,模块化设计,用于掩模和曝光,集成了预处理和后处理能力。山西IQ Aligner光刻机

山西IQ Aligner光刻机,光刻机

HERCULES 光刻轨道系统特征:

生产平台以**小的占地面积结合了EVG精密对准和光刻胶处理系统的所有优势;

多功能平台支持各种形状,尺寸,高度变形的模具晶片甚至托盘的全自动处理;

高达52,000 cP的涂层可制造高度高达300微米的超厚光刻胶特征;

CoverSpin TM旋转盖可降低光刻胶消耗并优化光刻胶涂层的均匀性;

OmniSpray ®涂覆用于高地形表面的优化的涂层;

纳流®涂布,并通过结构的保护;

自动面膜处理和存储;

光学边缘曝光和/或溶剂清洁以去除边缘颗粒;

使用桥接工具系统对多种尺寸的晶圆进行易碎,薄或翘曲的晶圆处理;

返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统;

多用户概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)。 低温光刻机化合物半导体应用EVG101光刻胶处理机可支持**/大300 mm的晶圆。

山西IQ Aligner光刻机,光刻机

EVG键合机掩模对准系列产品,使用**/先进的工程技术。

用户对接近式对准器的主要需求由几个关键参数决定。亚微米对准精度,掩模和晶片之间受控的均匀接近间隙,以及对应于抗蚀剂灵敏度的已经明确定义且易于控制的曝光光谱是**重要的标准。此外,整个晶圆表面的高光强度和均匀性是设计和不断增强EVG掩模对准器产品组合时需要考虑的其他关键参数。创新推动了我们的日常业务的发展和提升我们的理念,使我们能够跳出思维框架,创造更先进的系统。

IQ Aligner® 自动化掩模对准系统

特色:EVG ® IQ定位仪®平台用于自动非接触近距离处理而优化的用于晶片尺寸高达200毫米。

技术数据:IQ Aligner是具有高度自动化程度的非接触式接近光刻平台,可满足将生产线中的掩模污染降至**/低并增加掩模寿命和产品良率的需求。除了多种对准功能外,该系统还通过专门配置进行了广/泛的安装和现场验证,可自动处理和处理翘曲或变薄的晶圆。标准的顶侧或底侧对准与集成的IR对准功能之间的混合匹配操作进一步拓宽了应用领域,尤其是在与工程或粘合基板对准时。该系统还通过快速响应的温度控制工具集支持晶片对准跳动控制。 EVG所有光刻设备平台均为300mm。

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EVG ® 120--光刻胶自动化处理系统

EVG ® 120是用于当洁净室空间有限,需要生产一种紧凑的,节省成本光刻胶处理系统。

新型EVG120通用和全自动光刻胶处理工具能够处理各种形状和尺寸达200 mm / 8“的基板。新一代EVG120采用全新的超紧凑设计,并带有新开发的化学柜,可用于外部存储化学品,同时提供更高的通量能力,针对大批量客户需求进行了优化,并准备在大批量生产(HVM)中使用EVG120为用户提供了一套详尽的好处,这是其他任何工具所无法比拟的,并保证了**/高的质量各个应用领域的标准,拥有成本却非常低。


EVG150光刻胶处理系统拥有:Ergo装载盒式工作站/ SMIF装载端口/ SECS / GEM / FOUP装载端口。山西IQ Aligner光刻机

EVG101是光刻胶处理,EVG105是光刻胶烘焙机,EVG120、EVG150是光刻胶处理自动化系统。山西IQ Aligner光刻机

IQ Aligner®NT技术数据:

产能:

全自动:首/次生产量印刷:每小时200片

全自动:吞吐量对准:每小时160片晶圆

工业自动化功能:盒式磁带/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄,弯曲,翘曲,晶圆边缘处理


智能过程控制和数据分析功能(框架SW平台)

用于过程和机器控制的集成分析功能

并行任务/排队任务处理功能

设备和过程性能跟/踪功能

智能处理功能

事/故和警报分析/智能维护管理和跟/踪


晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米

对准方式:

顶部对准:≤±0,25 µm

底侧对准:≤±0.5 µm

红外对准:≤±2,0 µm /取决于基材 山西IQ Aligner光刻机

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