二、EVG501晶圆键合机特征：
带有150 mm或200 mm加热器的键合室
独特的压力和温度均匀性
与EVG的机械和光学对准器兼容
灵活的设计和研究配置
从单芯片到晶圆
各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合）
可选涡轮泵（<1E-5 mbar）
可升级阳极键合
开放式腔室设计，便于转换和维护
兼容试生产需求：
同类产品中的蕞低拥有成本
开放式腔室设计，便于转换和维护
蕞小占地面积的200 mm键合系统：0.8㎡
程序与EVG HVM键合系统完全兼容
以上产品由岱美仪器供应并提供技术支持。 EVG501键合机：卓/越的压力和温度均匀性、高真空键合室、自动键合和数据记录。氮化镓键合机轮廓测量应用
目前关于晶片键合的研究很多，工艺日渐成熟，但是对于表面带有微结构的硅片键合研究很少，键合效果很差。
本文针对表面带有微结构硅晶圆的封装问题，提出一种基于采用 Ti / Au 作为金属过渡层的硅—硅共晶键合的键合工艺，实现表面带有微结构硅晶圆之间的键合，解决键合对硅晶圆表面要求极高，环境要求苛刻的问题。
在对金层施加一定的压力和温度时，金层发生流动、互 融，从而形成键合。该过程对金的纯度要求较高，即当金层 发生氧化就会影响键合质量。 氮化镓键合机轮廓测量应用EVG键合机软件，支持多语言，集成错误记录/报告和恢复和单个用户帐户设置，可以简化用户常规操作。
晶圆级封装在封装方式上与传统制造不同。该技术不是将电路分开然后在继续进行测试之前应用封装和引线，而是用于集成多个步骤。在晶片切割之前，将封装的顶部和底部以及焊锡引线应用于每个集成电路。测试通常也发生在晶片切割之前。
像许多其他常见的组件封装类型一样，用晶圆级封装制造的集成电路是一种表面安装技术。通过熔化附着在元件上的焊球，将表面安装器件直接应用于电路板的表面。晶圆级组件通常可以与其他表面贴装设备类似地使用。例如，它们通常可以在卷带机上购买，以用于称为拾取和放置机器的自动化组件放置系统。
晶圆级封装的实现可以带来许多经济利益。它允许晶圆制造，封装和测试的集成，从而简化制造过程。缩短的制造周期时间可提高生产量并降低每单位制造成本。
晶圆级封装还可以减小封装尺寸，从而节省材料并进一步降低生产成本。然而，更重要的是，减小的封装尺寸允许组件用于更***的高级产品中。晶圆级封装的主要市场驱动因素之一是需要更小的组件尺寸，尤其是减小封装高度。
岱美仪器提供的EVG的晶圆键合机，可以实现晶圆级封装的功能。 EVG键合机可配置为黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩工艺。
表面带有微结构硅晶圆的界面已受到极大的损伤，其表面粗糙度远高于抛光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有时甚至可以达到 1 μm 以上。金硅共晶键合时将金薄膜置于欲键合的两硅片之间，加热至稍高于金—硅共晶点的温度，即 363 ℃ ， 金硅混合物从预键合的硅片中夺取硅原子，达到硅在金硅二相系( 其中硅含量为 19 % ) 中的饱和状态，冷却后形成良好的键合［12，13］。而光刻、深刻蚀、清洗等工艺带来的杂质对于金硅二相系的形成有很大的影响。以表面粗糙度极高且有杂质的硅晶圆完成键合，达到既定的键合质量成为研究重点。以上应用工艺也让MEMS器件，RF滤波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS图像传感器）的生产迅速增长。氮化镓键合机轮廓测量应用
EVG500系列键合机是基于独特模块化键合室设计，能够实现从研发到大批量生产的简单技术转换。氮化镓键合机轮廓测量应用
Ziptronix Inc. 与 EV Group（简称“EVG ”）***宣布已成功地在客户提供的300毫米DRAM晶圆实现亚微米键合后对准精度。方法是在 EVG Gemini FB 产品融合键合机和 SmartView NT 键合对准机上采用 Ziptronix 的DBI混合键合技术。这种方法可用于制造各种应用的微间距3D集成电路，包括堆栈存储器、上等图像传感器和堆栈式系统芯片 (SoC)。
Ziptronix 的首席技术官兼工程副总裁 Paul Enquist 表示：“DBI 混合键合技术的性能不受连接间距的限制，只需要可进行测量的适当的对准和布局工具，而这是之前一直未能解决的难题。EVG 的融合键合设备经过优化后实现了一致的亚微米键合后对准精度，此对准精度上的改进为我们的技术的大批量生产 (HVM) 铺平了道路。” 氮化镓键合机轮廓测量应用
岱美仪器技术服务（上海）有限公司位于金高路2216弄35号6幢306-308室。公司业务涵盖半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪等，价格合理，品质有保证。公司从事仪器仪表多年，有着创新的设计、强大的技术，还有一批**的专业化的队伍，确保为客户提供良好的产品及服务。岱美中国凭借创新的产品、专业的服务、众多的成功案例积累起来的声誉和口碑，让企业发展再上新高。
