EVG ® 850 DB 自动解键合机系统
全自动解键合,清洁和卸载薄晶圆
特色
技术数据
在全自动解键合机中,经过处理的临时键合晶圆叠层被分离和清洗,而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。支持的剥离方法包括UV激光,热剥离和机械剥离。使用所有解键合方法,都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。
特征
在有形和无形的情况下,都能可靠地处理变薄的,弯曲和翘曲的晶片
自动清洗解键合晶圆
程序控制系统
实时监控和记录所有相关过程参数
自动化工具中完全集成的SECS / GEM界面
适用于不同基板尺寸的桥接工具功能
模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量
技术数据
晶圆直径(基板尺寸)
高达300毫米
高达12英寸的薄膜面积
组态
解键合模块
清洁模块
薄膜裱框机
选件
ID阅读
多种输出格式
高形貌的晶圆处理
翘曲的晶圆处理 EVG键合机可配置为黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩工艺。SUSS键合机质量怎么样
EVG ® 850 LT SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统
用途:自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用
特色
技术数据
晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合,熔融了熔融的所有基本步骤-从清洁,等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此,经过实践检验的行业标准EVG850
LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量,高产量生产工艺。 山西键合机价格怎么样Smart View®NT-适用于GEMINI和GEMINI FB,让晶圆在晶圆键合之前进行晶圆对准。
EVG ® 810 LT
LowTemp™等离子激/活系统
适用于SOI,MEMS,化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统
特色
技术数据
EVG810 LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔**单元。处理室允许进行异位处理(晶圆被一一激/活并结合在等离子体激/活室外部)。
特征
表面等离子体活化,用于低温粘结(熔融/分子和中间层粘结)
晶圆键合机制中**快的动力学
无需湿工艺
低温退火(**/高400°C)下的**/高粘结强度
适用于SOI,MEMS,化合物半导体和高级基板键合
高度的材料兼容性(包括CMOS)
EVG ® 850 TB
自动化临时键合系统
全自动将临时晶圆晶圆键合到刚性载体上
特色
技术数据
全自动的临时键合系统可在一个自动化工具中实现整个临时键合过程-从临时键合剂的施加,烘焙,将设备晶圆与载体晶圆的对准和键合开始。与所有EVG的全自动工具一样,设备布局是模块化的,这意味着可以根据特定过程对吞吐量进行优化。可选的在线计量模块允许通过反馈回路进行全过程监控和参数优化。
由于EVG的开放平台,因此可以使用不同类型的临时键合粘合剂,例如旋涂热塑性塑料,热固性材料或胶带。 EVG 晶圆键合机上的键合过程是怎么样的呢?
EVG ® 6200键合机选件
自动对准
红外对准,用于内部基板键对准
NanoAlign ®包增强加工能力
可与系统机架一起使用
掩模对准器的升级可能性
技术数据
常规系统配置
桌面
系统机架:可选
隔振:被动
对准方法
背面对准:±2 µm 3σ
透明对准:±1 µm 3σ
红外校准:选件
对准阶段
精密千分尺:手动
可选:电动千分尺
楔形补偿:自动
基板/晶圆参数
尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米
厚度:0.1-10毫米
**/高堆叠高度:10毫米
自动对准
可选的
处理系统
标准:3个卡带站
可选:**多5个站
EVG的GEMINI系列是自动化生产晶圆键合系统。RF滤波器键合机保修期多久
EVG®500系列键合模块-适用于GEMINI,支持除紫外线固化胶以外的所有主流键合工艺。SUSS键合机质量怎么样
EVG ® 510晶圆键合机系统
用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备完全兼容
特色
技术数据
EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统,可以处理从碎片到200 mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,例如阳极,玻璃粉,焊料,共晶,瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化,转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学,研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具(例如EVG GEMINI)上的键合室设计相同,键合程序易于转移,可轻松扩大生产规模。 SUSS键合机质量怎么样
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