EVG ® 620 BA键合机选件
自动对准
红外对准，用于内部基板键对准
NanoAlign ®包增强加工能力
可与系统机架一起使用
掩模对准器的升级可能性
技术数据
常规系统配置
桌面
系统机架：可选
隔振：被动
对准方法
背面对准：±2 µm 3σ
透明对准：±1 µm 3σ
红外校准：选件
对准阶段
精密千分尺：手动
可选：电动千分尺
楔形补偿：自动
基板/晶圆参数
尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米
厚度：0.1-10毫米
**/高堆叠高度：10毫米
自动对准
可选的
处理系统
标准：3个卡带站
可选：**多5个站 晶圆键合机（系统）EVG®510 ，拥有150、200mm晶圆单腔系统 ；拥有EVG®501 键合机所有功能。CMOS键合机技术支持
EVG ® 850 DB 自动解键合机系统
全自动解键合，清洁和卸载薄晶圆
特色
技术数据
在全自动解键合机中，经过处理的临时键合晶圆叠层被分离和清洗，而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。支持的剥离方法包括UV激光，热剥离和机械剥离。使用所有解键合方法，都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。
特征
在有形和无形的情况下，都能可靠地处理变薄的，弯曲和翘曲的晶片
自动清洗解键合晶圆
程序控制系统
实时监控和记录所有相关过程参数
自动化工具中完全集成的SECS / GEM界面
适用于不同基板尺寸的桥接工具功能
模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
高达300毫米
高达12英寸的薄膜面积
组态
解键合模块
清洁模块
薄膜裱框机
选件
ID阅读
多种输出格式
高形貌的晶圆处理
翘曲的晶圆处理 CMOS键合机技术支持EVG键合机键合工艺可在真空或受控气体条件下进行。
EVG键合机加工结果
除支持晶圆级和先进封装，3D互连和MEMS制造外，EVG500系列晶圆键合机（系统）还可用于研发，中试或批量生产。它们通过在高真空，精确控制的精/准的真空，温度或高压条件下键合来满足各种苛刻的应用。该系列拥有多种键合方法，包括阳极，热压缩，玻璃料，环氧树脂，UV和熔融键合。EVG500系列基于独特的模块化键合室设计，可实现从研发到大批量生产的简单技术转换。
模块设计
各种键合对准（对位）系统配置为各种MEMS和IC应用提供了多种优势。使用直接（实时）或间接对准方法可以支持大量不同的对准技术。
EVG ® 301特征
使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高/效清洁
单面清洁刷（选件）
用于晶圆清洗的稀释化学品
防止从背面到正面的交叉污染
完全由软件控制的清洁过程
选件
带有红外检查的预键合台
非SEMI标准基材的工具
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米
清洁系统
开室，旋转器和清洁臂
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：**/高3000 rpm（5秒内）
超音速喷嘴
频率：1 MHz（3 MHz选件）
输出功率：30-60 W
去离子水流量：**/高1.5升/分钟
有效清洁区域：Ø4.0 mm
材质：聚四氟乙烯 EVG的GEMINI系列是顶/级大批量生产系统，同时结合了自动光学对准和键合操作功能。
EVG®520IS晶圆键合系统■拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能■200mm的单个或者双腔自动化系统■自动晶圆键合流程和晶圆替代转移■集成冷却站，实现高产量EVG®540自动键合系统■300mm单腔键合室■自动处理多达4个键合卡盘■模块化键合室■自动底侧冷却EVG®560自动晶圆键合系统■多达4个键合室，满足各种键合操作■自动装卸键合室和冷却站■远程在线诊断■自动化机器人处理系统，用于机械对准的自动盒式磁带晶圆键合■工作站式布局，适用于所有键合工艺的设备配置EVG®GEMINI®自动化生产晶圆键合系统在**小的占地面积上，同时利用比较/高精度的EVGSmaiewNT技术，前/列的GEMINI大批量生产系统，并结合了自动光学对准和键合操作。有关更多详/细信息，请参/阅我们的GEMINI手册。 旋涂模块-适用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圆键合之前施加粘合剂层。湖南键合机供应商家
EVG501键合机：卓/越的压力和温度均匀性、高真空键合室、自动键合和数据记录。CMOS键合机技术支持
EVG ® 820层压系统
将任何类型的干胶膜（胶带）自动无应力层压到晶圆上
特色
技术数据
EVG820层压站用于将任何类型的干胶膜自动，无应力地层压到载体晶片上。这项独特的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔，然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术，可以自由选择胶带的尺寸和尺寸，并且与基材无关。
特征
将任何类型的干胶膜自动，无应力和无空隙地层压到载体晶片上
在载体晶片上精确对准的层压
保护套剥离
干膜层压站可被集成到一个EVG ® 850 TB临时键合系统
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
高达300毫米
组态
1个打孔单元
底侧保护衬套剥离
层压
选件
顶侧保护膜剥离
光学对准
加热层压
CMOS键合机技术支持
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