BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINI FB XT自动熔融系统一起出售,每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理,但GEMINI FB XT将支持要求更高对准精度的应用,例如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。
特征
在单个平台上的200 mm和300
mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用
通过等离子活化的直接晶圆键合,可实现不同材料,高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成
支持逻辑缩放,3D集成(例如M3),3D VLSI(包括背面电源分配),N&P堆栈,内存逻辑,集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底
BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据
晶圆直径(基板尺寸)
200、300毫米
**/高 数量或过程模块
8
通量
每小时**多40个晶圆
处理系统
4个装载口
特征
多达八个预处理模块,例如清洁模块,LowTemp™等离子活化模块,对准验证模块和解键合模块
XT框架概念通过EFEM(设备前端模块)实现**/高吞吐量
光学边缘对准模块:Xmax / Ymax = 18 µm 3σ EVG所有键合机系统都可以通过远程通信的。新疆键合机用于生物芯片
EVG键合机加工结果
除支持晶圆级和先进封装,3D互连和MEMS制造外,EVG500系列晶圆键合机(系统)还可用于研发,中试或批量生产。它们通过在高真空,精确控制的精/准的真空,温度或高压条件下键合来满足各种苛刻的应用。该系列拥有多种键合方法,包括阳极,热压缩,玻璃料,环氧树脂,UV和熔融键合。EVG500系列基于独特的模块化键合室设计,可实现从研发到大批量生产的简单技术转换。
模块设计
各种键合对准(对位)系统配置为各种MEMS和IC应用提供了多种优势。使用直接(实时)或间接对准方法可以支持大量不同的对准技术。 新疆键合机用于生物芯片EVG键合机通过在高真空,精确控制的真空、温度或高压条件下键合,可以满足各种苛刻的应用。
Smart View ® NT自动键合对准系统,用于通用对准。
全自动键合对准系统,采用微米级面对面晶圆对准的专有方法进行通用对准
特色
技术数据
用于通用对准的Smart View NT自动键合对准系统提供了微米级面对面晶圆级对准的专有方法。这种对准技术对于在**技术的多个晶圆堆叠中达到所需的精度至关重要。Smart View技术可以与GEMINI晶圆键合系统结合使用,以在随后的全自动平台上进行永/久键合。
特征
适合于自动化和集成EVG键合系统(EVG560®,GEMINI ® 200和300mm配置)
用于3D互连,晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠
EVG ® 850 TB 临时键合机特征
开放式胶粘剂平台
各种载体(硅,玻璃,蓝宝石等)
适用于不同基板尺寸的桥接工具功能
提供多种装载端口选项和组合
程序控制系统
实时监控和记录所有相关过程参数
完全集成的SECS / GEM接口
可选的集成在线计量模块,用于自动反馈回路
技术数据
晶圆直径(基板尺寸)
**长300毫米,可能有超大的托架
不同的基材/载体组合
组态
外套模块
带有多个热板的烘烤模块
通过光学或机械对准来对准模块
键合模块
选件
在线计量
ID阅读
高形貌的晶圆处理
翘曲的晶圆处理 EVG键合机使用直接(实时)或间接对准方法,能够支持大量不同的对准技术。
对准晶圆键合是晶圆级涂层,晶圆级封装,工程衬**造,晶圆级3D集成和晶圆减薄方面很有用的技术。反过来,这些工艺也让MEMS器件,RF滤波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS图像传感器)的生产迅速增长。这些工艺也能用于制造工程衬底,例如SOI(绝缘体上硅)。
主流键合工艺为:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。采用哪种键合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。
键合机厂家EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验,拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。同时,EVG的GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。 EVG键合机软件是基于Windows的图形用户界面的设计,注重用户友好性,可轻松引导操作员完成每个流程步骤。山西键合机可以免税吗
EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺,这对于当今和未来的器件制造是至关重要。新疆键合机用于生物芯片
EVG ® 510键合机特征
独特的压力和温度均匀性
兼容EVG机械和光学对准器
灵活的设计和配置,用于研究和试生产
将单芯片形成晶圆
各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合)
可选的涡轮泵(<1E-5 mbar)
可升级用于阳极键合
开室设计,易于转换和维护
生产兼容
高通量,具有快速加热和泵送规格
通过自动楔形补偿实现高产量
开室设计,可快速转换和维护
200 mm键合系统的**小占地面积:0.8
m 2
程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容
技术数据
**/大接触力
10、20、60 kN
加热器尺寸 150毫米 200毫米
**小基板尺寸 单芯片 100毫米
真空
标准:0.1毫巴
可选:1E-5 mbar
新疆键合机用于生物芯片
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