光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的核心竞争力在于其掩模对准系统（EVG6xx和IQ Aligner系列）以及高度集成的涂层平台（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG的所有光刻设备平台均为300mm，可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中，并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装：在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口 ；在EVG的IQ
Aligner NT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂；负侧壁，带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层; 金属垫在结构的中间；用于LIGA结构的高纵横比结构，用EVG® IQ Aligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果；西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上，展示了高/分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力；MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。 只有以客户的需求为导向，研发才具有价值，也是我们不断前进的动力。高级封装光刻机实际价格
EVG101光刻胶处理系统的旋转涂层模块-旋转器参数
转速：**/高10 k rpm
加速速度：**/高10 k rpm
喷涂模块-喷涂产生
超声波雾化喷嘴/高粘度喷嘴
开发模块-分配选项
水坑显影/喷雾显影
EVG101光刻胶处理系统附加模块选项：
预对准：机械
系统控制参数：
操作系统：Windows
文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数/离线程序编辑器
灵活的流程定义/易于拖放的程序编程
并行处理多个作业/实时远程访问，诊断和故障排除
多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR
吉林EVG6200 NT光刻机了解客户需求和有效的全球支持，这是我们提供优先解决方案的重要基础。
IQ Aligner®
■ 晶圆规格高达200 mm / 300 mm
■ 某一时间内
（第/一次印刷/对准）> 90 wph / 80 wph
■ 顶/底部对准精度达到 ± 0.5 µm / ± 1.0 µm
■ 接近过程100/%无触点
■ 可选Ergoload 磁盘，SMIF或者FOUP
■ 精/准的跳动补偿，实现**/佳的重叠对准
■ 手动装载晶圆的功能
■ IR对准能力–透射或者反射
IQ Aligner® NT
■ 零辅助桥接工具-双基片，支持200mm和300mm规格
■ 无以伦比的吞吐量（第/一次印刷/对准） > 200 wph / 160 wph
■ 顶/底部对准精度达到 ± 250 nm / ± 500 nm
■ 接近过程100/%无触点
■ 暗场对准能力/ 全场清/除掩模（FCMM）
■ 精/准的跳动补偿，实现**/佳的重叠对准
■ 智能过程控制和性能分析框架软件平台
EVG ® 620 NT 掩模对准系统（半自动/自动）
特色：EVG ® 620 NT提供国家的本领域掩模对准技术在**小化的占位面积，支持高达150毫米晶圆尺寸。
技术数据：EVG620 NT以其多功能性和可靠性而著称，在**小的占位面积上结合了先进的对准功能和**/优化的总体拥有成本，提供了**/先进的掩模对准技术。它是光学双面光刻的理想工具，可提供半自动或自动配置以及可选的全覆盖Gen 2解决方案，以满足大批量生产要求和制造标准。拥有操作员友好型软件，**短的掩模和工具更换时间以及高/效的全球服务和支持，使它成为任何制造环境的理想解决方案。 EVG所有掩模对准器都支持EVG专有的NIL技术。
EVG曝光光学：专门开发的分辨率增强型光学元件（REO）可提供高出50％的强度，并显着提高/分辨率，在接近模式下可达到小于3μm的分辨率。REO的特殊设计有助于控制干涉效应以获得分辨率。EVG**/新的曝光光学增强功能是LED灯设置。低能耗和长寿命是UV-LED光源的**/大优势，因为不需要预热或冷却。在用户软件界面中可以轻松、实际地完成曝光光谱设置。此外，LED需要*在曝光期间供电，并且该技术消除了对汞灯经常需要的额外设施（废气，冷却气体）和更换灯的需要。这种理想的组合不仅可以**/大限度地降低运行和维护成本，还可以增加操作员的安全性和环境友好性。EVG的代理商岱美仪器能在全球范围内提供服务。江苏IQ Aligner NT光刻机
EVG100系列光刻胶处理系统为光刻胶涂层和显影建立了质量和灵活性方面的新的标准。高级封装光刻机实际价格
EVG ® 610特征：
晶圆/基板尺寸从小到200 mm /8''
顶侧和底侧对准能力
高精度对准台
自动楔形补偿序列
电动和程序控制的曝光间隙
支持**/新的UV-LED技术
**小化系统占地面积和设施要求
分步流程指导
远程技术支持
多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）
便捷处理和转换重组
台式或带防震花岗岩台的单机版
EVG ® 610附加功能：
键对准
红外对准
纳米压印光刻（NIL）
EVG ® 610技术数据：
对准方式
上侧对准：≤±0.5 µm
底面要求：≤±2,0 µm
红外校准：≤±2,0 µm /具体取决于基板材料
键对准：≤±2,0 µm
NIL对准：≤±2,0 µm 高级封装光刻机实际价格
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