键合机相关图片
  • 北京键合机服务为先,键合机
  • 北京键合机服务为先,键合机
  • 北京键合机服务为先,键合机
键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

键合对准机系统

1985年,随着世界上第/一个双面对准系统的发明,EVG革新了MEMS技术,并通过分离对准和键合工艺在对准晶圆键合方面树立了全球行业标准。这种分离导致晶圆键合设备具有更高的灵活性和通用性。EVG的键合对准系统提供了**/高的精度,灵活性和易用性以及模块化升级功能,并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足**苛刻的对准过程。包含以下的型号:EVG610 BA键合对准系统;EVG620 BA键合对准系统;EVG6200 BA键合对准系统;Smart View NT键合对准系统; 键合机供应商EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验,拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。北京键合机服务为先

北京键合机服务为先,键合机

Smart View NT键合机特征

适合于自动化和集成EVG键合系统(EVG560®,GEMINI ® 200和300mm配置)

用于3D互连,晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠

通用键合对准器(面对面,背面,红外和透明对准)

无需Z轴运动,也无需重新聚焦

基于Windows的用户界面

将键对对准并夹紧,然后再装入键合室

手动或全自动配置(例如:在GEMINI系统上集成)


Smart View ® NT选件

可以与EVG组合® 500系列晶圆键合系统,EVG ® 300系列清洁系统和EVG ®有带盒对盒操作完全自动化的晶圆到晶圆对准动作EVG810 LT等离子体系统


技术数据

基板/晶圆参数

尺寸:150-200、200-300毫米

厚度:0.1-5毫米

**/高堆叠高度:10毫米

自动对准

标准

处理系统

3个纸盒站(**/大200毫米)或2个FOUP加载端口(300毫米) EVG805键合机美元价晶圆级涂层、封装,工程衬**造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底,如SOI(绝缘体上硅)。

北京键合机服务为先,键合机

键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠,以执行随后的键合过程。可以使用适合每个通用键合室的**卡盘来处理各种尺寸的晶圆和键合应用。

EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS 是用于研发的键合机。

晶圆键合类型

■   阳极键合

■   黏合剂键合

■   共熔键合

■   瞬间液相键合

■   热压键合

EVG键合机特征

■   基底高达 200mm

■   压力高达 100 kN

■   温度高达 550°C

■   真空气压低至 1·10-6 mbar

■   可选:阳极,UV固化,650℃加热器

EVG键合机加工服务

EVG设备的晶圆加工服务包含如下:

■   等离子活化直接键合

■   ComBond®

-  硅和化合物半导体的导电键合

■   高真空对准键合

■   临时键合和热、机械或者激光剖离

■   混合键合

■   黏合剂键合

■   集体D2W键合

EVG ® 510键合机特征

独特的压力和温度均匀性

兼容EVG机械和光学对准器

灵活的设计和配置,用于研究和试生产

将单芯片形成晶圆

各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合)

可选的涡轮泵(<1E-5 mbar)

可升级用于阳极键合

开室设计,易于转换和维护

生产兼容

高通量,具有快速加热和泵送规格

通过自动楔形补偿实现高产量

开室设计,可快速转换和维护

200 mm键合系统的**小占地面积:0.8

m 2

程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容


技术数据

**/大接触力

10、20、60 kN

加热器尺寸     150毫米   200毫米

**小基板尺寸      单芯片   100毫米

真空

标准:0.1毫巴


可选:1E-5 mbar


业内主流键合机使用工艺:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。

北京键合机服务为先,键合机

EVG ® 810 LT技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

50-200、100-300毫米

LowTemp™等离子活化室

工艺气体:2种标准工艺气体(N 2和O 2)

通用质量流量控制器:自校准(高达20.000 sccm)

真空系统:9x10 -2 mbar

腔室的打开/关闭:自动化

腔室的加载/卸载:手动(将晶圆/基板放置在加载销上)


可选功能

卡盘适用于不同的晶圆尺寸

无金属离子活化

混合气体的其他工艺气体

带有涡轮泵的高真空系统:9x10 -3 mbar基本压力


符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统

Si:Si / Si,Si / Si(热氧化,Si(热氧化)/

Si(热氧化)

TEOS / TEOS(热氧化)

绝缘体锗(GeOI)的Si / Ge

Si/Si3N4

玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃

化合物半导体:GaAs,GaP,InP

聚合物:PMMA,环烯烃聚合物


用户可以使用上述和其他材料的“**/佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)


EVG键合机通过在高真空,精确控制的真空、温度或高压条件下键合,可以满足各种苛刻的应用。福建键合机原理

EVG键合机键合工艺可在真空或受控气体条件下进行。北京键合机服务为先

GEMINI ® FB特征

新的Smart View ® NT3面-面结合对准具有亚50纳米晶片到晶片的对准精度

多达六个预处理模块,例如:

清洁模块

LowTemp™等离子激/活模块

对准验证模块

解键合模块

XT框架概念通过EFEM(设备前端模块)实现**/高吞吐量


可选功能:

解键合模块

热压键合模块


技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

200、300毫米

**/高处理模块数:6 +的Smart View

® NT

可选功能:

解键合模块

热压键合模块



EVG的GEMINI FB XT集成熔融键合系统,扩展了现有标准,并拥有更高的生产率,更高的对准和涂敷精度,适用于诸如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统采用了新的Smart View NT3键合对准器,该键合对准器是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。


北京键合机服务为先

岱美仪器技术服务(上海)有限公司位于上海市,创立于2002-02-07。公司业务涵盖[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ]等,价格合理,品质有保证。公司将不断增强企业核心竞争力,努力学习行业先进知识,遵守行业规范,植根于仪器仪表行业的发展。在社会各界的鼎力支持下,经过公司所有人员的努力,公司自2002-02-07成立以来,年营业额达到100-200万元。

与键合机相关的**
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责