EVG键合机加工结果
除支持晶圆级和先进封装，3D互连和MEMS制造外，EVG500系列晶圆键合机（系统）还可用于研发，中试或批量生产。它们通过在高真空，精确控制的精/准的真空，温度或高压条件下键合来满足各种苛刻的应用。该系列拥有多种键合方法，包括阳极，热压缩，玻璃料，环氧树脂，UV和熔融键合。EVG500系列基于独特的模块化键合室设计，可实现从研发到大批量生产的简单技术转换。
模块设计
各种键合对准（对位）系统配置为各种MEMS和IC应用提供了多种优势。使用直接（实时）或间接对准方法可以支持大量不同的对准技术。 EVG501 晶圆键合机（系统）：真正的低强度晶圆楔形补偿系统，可实现**/高产量；研发和试生产的**/低 购置成本。解键合键合机键合精度
BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINI FB XT自动熔融系统一起出售，每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理，但GEMINI FB XT将支持要求更高对准精度的应用，例如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。
特征
在单个平台上的200 mm和300
mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用
通过等离子活化的直接晶圆键合，可实现不同材料，高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成
支持逻辑缩放，3D集成（例如M3），3D VLSI（包括背面电源分配），N＆P堆栈，内存逻辑，集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底
BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
200、300毫米
**/高 数量或过程模块
8
通量
每小时**多40个晶圆
处理系统
4个装载口
特征
多达八个预处理模块，例如清洁模块，LowTemp™等离子活化模块，对准验证模块和解键合模块
XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现**/高吞吐量
光学边缘对准模块：Xmax / Ymax = 18 µm 3σ 贵州键合机键合精度EVG500系列键合机是基于独特模块化键合室设计，能够实现从研发到大批量生产的简单技术转换。
对准晶圆键合是晶圆级涂层，晶圆级封装，工程衬**造，晶圆级3D集成和晶圆减薄方面很有用的技术。反过来，这些工艺也让MEMS器件，RF滤波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS图像传感器）的生产迅速增长。这些工艺也能用于制造工程衬底，例如SOI（绝缘体上硅）。
主流键合工艺为：黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩。采用哪种键合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。
键合机厂家EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验，拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。同时，EVG的GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。
EVG ® 510键合机特征
独特的压力和温度均匀性
兼容EVG机械和光学对准器
灵活的设计和配置，用于研究和试生产
将单芯片形成晶圆
各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合）
可选的涡轮泵（<1E-5 mbar）
可升级用于阳极键合
开室设计，易于转换和维护
生产兼容
高通量，具有快速加热和泵送规格
通过自动楔形补偿实现高产量
开室设计，可快速转换和维护
200 mm键合系统的**小占地面积：0.8
m 2
程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容
技术数据
**/大接触力
10、20、60 kN
加热器尺寸 150毫米 200毫米
**小基板尺寸 单芯片 100毫米
真空
标准：0.1毫巴
可选：1E-5 mbar
我们的服务包括通过安全的连接，电话或电子邮件，对包括现场验证，进行实时远程诊断和设备/工艺排除故障。
EVG ® 301单晶圆清洗系统，属于研发型单晶圆清洗系统。
技术数据
EVG301半自动化单晶片清洗系统采用一个清洗站，该清洗站使用标准的去离子水冲洗以及超音速，毛刷和稀释化学药品作为附加清洗选项来清洗晶片。EVG301具有手动加载和预对准功能，是一种多功能的研发型系统，适用于灵活的清洁程序和300
mm的能力。EVG301系统可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用，以消除晶圆键合之前的任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基板尺寸，从而可以轻松设置不同的工艺。 EVG服务：高真空对准键合、集体D2W键合、临时键合和热、混合键合、机械或者激光剖离、黏合剂键合。晶圆键合机技术支持
除了支持3D互连和MEMS制造，晶圆级和先进封装外，EVG的EVG500系晶圆键合机还可用于研发，中试和批量生产。解键合键合机键合精度
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