光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的核心竞争力在于其掩模对准系统(EVG6xx和IQ Aligner系列)以及高度集成的涂层平台(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG的所有光刻设备平台均为300mm,可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中,并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装:在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口 ;在EVG的IQ
Aligner NT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂;负侧壁,带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层; 金属垫在结构的中间;用于LIGA结构的高纵横比结构,用EVG® IQ Aligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果;西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上,展示了高/分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力;MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。 IQ Aligner光刻机支持的晶圆尺寸高达200 mm / 300 mm。吉林EVG光刻机
IQ Aligner®NT曝光设定:硬接触/软接触/接近模式/柔性模式
楔形补偿:全自动软件控制;非接触式
IQ Aligner®NT曝光选项:间隔曝光/洪水曝光
先进的对准功能:自动对准
暗场对准功能/完整的明场掩模移动(FCMM)
大间隙对准
跳动控制对准
IQ Aligner®NT系统控制:
操作系统:Windows
文件共享和备份解决方案/无限制 程序和参数
多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR
实时远程访问,诊断和故障排除
如果您需要确认准确的产品的信息,请联系我们。如果需要键合机,请看官网信息。 西藏原装进口光刻机HERCULES 全电动顶部和底部分离场显微镜支持实时、大间隙、晶圆平面或红外对准,在可编程位置自动定位。
EVG增强对准:全电动顶部和底部分离场显微镜支持实时,大间隙,晶圆平面或红外对准,在可编程位置自动定位。确保**/佳图形对比度,并对明场和暗场照明进行程序控制。先进的模式识别算法,自动原点功能,合成对准键模式导入和培训可确保高度可重复的对准结果。曝光光学:提供不同配置的曝光光学系统,旨在实现任何应用的**/大灵活性。汞灯曝光光学系统针对150,200和300 mm基片进行了优化,可与各种滤光片一起用于窄带曝光要求,例如i-,g-和h-线滤光片,甚至还有深紫外线。
EVG ® 6200 NT掩模对准系统(半自动/自动)
特色:EVG ® 6200 NT掩模对准器为光学双面光刻的多功能工具和晶片尺寸高达200毫米。
技术数据:EVG6200 NT以其自动化灵活性和可靠性而著称,可在**小的占位面积上提供**/先进的掩模对准技术,并具有**/高的产能,先进的对准功能和优化的总拥有成本。操作员友好型软件,**短的掩模和工具更换时间以及高/效的全球服务和支持使它成为任何制造环境的理想解决方案。EVG6200 NT或完全安装的EVG6200 NT Gen2掩模对准系统有半自动或自动配置,并配有集成的振动隔离功能,可在广/泛的应用中实现出色的曝光效果,例如薄和厚光刻胶的曝光,深腔和类似地形的图案,以及薄而易碎的材料(例如化合物半导体)的加工。此外,半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。 研发设备与EVG的**技术平台无缝集成,这些平台涵盖从研发到小规模和大批量生产的整个制造链。
掩模对准系统:EVG的发明,例如1985年世界上较早的拥有底面对准功能的系统,开创了顶面和双面光刻,对准晶圆键合和纳米压印光刻的先例,并设定了行业标准。EVG通过不断开发掩模对准器产品来增强这些**光刻技术,从而在这些领域做出了贡献。
EVG的掩模对准系统可容纳尺寸**/大,尺寸和形状以及厚度**/大为300 mm的晶片和基板,旨在为高级应用提供先进的自动化程度和研发灵活性的复杂解决方案。EVG的掩模对准器和工艺能力已经过现场验证,并已安装在全球的生产设施中,以支持众多应用,包括高级封装,化合物半导体,功率器件,LED,传感器和MEMS制造。 我们用持续的技术和市场领导地位证明了自己的实力,包括EVG在使用各种非标准抗蚀剂方面的****的经验。吉林官方光刻机
EVG已经与研究机构合作超过35年,能够深入了解他们的独特需求。吉林EVG光刻机
EVG ® 610特征:
晶圆/基板尺寸从小到200 mm /8''
顶侧和底侧对准能力
高精度对准台
自动楔形补偿序列
电动和程序控制的曝光间隙
支持**/新的UV-LED技术
**小化系统占地面积和设施要求
分步流程指导
远程技术支持
多用户概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)
便捷处理和转换重组
台式或带防震花岗岩台的单机版
EVG ® 610附加功能:
键对准
红外对准
纳米压印光刻(NIL)
EVG ® 610技术数据:
对准方式
上侧对准:≤±0.5 µm
底面要求:≤±2,0 µm
红外校准:≤±2,0 µm /具体取决于基板材料
键对准:≤±2,0 µm
NIL对准:≤±2,0 µm 吉林EVG光刻机
岱美仪器技术服务(上海)有限公司致力于仪器仪表,以科技创新实现***管理的追求。岱美中国拥有一支经验丰富、技术创新的专业研发团队,以高度的专注和执着为客户提供[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ]。公司终坚持自主研发创新发展理念,不断优化的技术、产品为客户带来效益,目前年营业额达到100-200万元。岱美中国始终关注自身,在风云变化的时代,我们对自身的建设毫不懈怠,高度的专注与执着使我们在行业的从容而自信。