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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

EVG ® 150特征:晶圆尺寸可达300毫米

多达6个过程模块

可自定义的数量-多达20个烘烤/冷却/汽化堆

多达四个FOUP装载端口或盒式磁带装载

可用的模块包括旋转涂层,喷涂,NanoCoat™,显影,烘烤/冷却/蒸气/上等

EV集团专有的OmniSpray ®超声波雾化技术提供了****的处理结果,当涉及到极端地形的保形涂层

可选的NanoSpray™模块实现了300微米深图案的保形涂层,长宽比**/高为1:10,垂直侧壁

广/泛的支持材料

烘烤模块温度高达250°C

Megasonic技术用于清洁,声波化学处理和显影,可提高处理效率并将处理时间从数小时缩短至数分钟


EVG100光刻胶处理系统可以处理多种尺寸的基板,直径从2寸到300 mm。青海光刻机推荐产品

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EVG ® 6200 NT掩模对准系统(半自动/自动)

特色:EVG ® 6200 NT掩模对准器为光学双面光刻的多功能工具和晶片尺寸高达200毫米。

技术数据:EVG6200 NT以其自动化灵活性和可靠性而著称,可在**小的占位面积上提供**/先进的掩模对准技术,并具有**/高的产能,先进的对准功能和优化的总拥有成本。操作员友好型软件,**短的掩模和工具更换时间以及高/效的全球服务和支持使它成为任何制造环境的理想解决方案。EVG6200 NT或完全安装的EVG6200 NT Gen2掩模对准系统有半自动或自动配置,并配有集成的振动隔离功能,可在广/泛的应用中实现出色的曝光效果,例如薄和厚光刻胶的曝光,深腔和类似地形的图案,以及薄而易碎的材料(例如化合物半导体)的加工。此外,半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。 广西光刻机当地价格EVG光刻机关注未来市场趋势 - 例如光子学 、光学3D传感- 并为这些应用开发新的方案和调整现有的解决方案。

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我们的研发实力。

EVG已经与研究机构合作超过35年,让我们深入了解他们的独特需求。我们专业的研发工具提供卓/越的技术和**/大的灵活性,使大学、研究机构和技术开发合作伙伴能够参与多个研究项目和应用项目。此外,研发设备与EVG的**技术平台无缝集成,这些平台涵盖从研发到小规模和大批量生产的整个制造链。研发和全/面生产系统之间的软件和程序兼容性使研究人员能够将其流程迁移到批量生产环境。以客户的需求为导向,研发才具有价值,也是我们不断前进的动力。

IQ Aligner® 自动化掩模对准系统

特色:EVG ® IQ定位仪®平台用于自动非接触近距离处理而优化的用于晶片尺寸高达200毫米。

技术数据:IQ Aligner是具有高度自动化程度的非接触式接近光刻平台,可满足将生产线中的掩模污染降至**/低并增加掩模寿命和产品良率的需求。除了多种对准功能外,该系统还通过专门配置进行了广/泛的安装和现场验证,可自动处理和处理翘曲或变薄的晶圆。标准的顶侧或底侧对准与集成的IR对准功能之间的混合匹配操作进一步拓宽了应用领域,尤其是在与工程或粘合基板对准时。该系统还通过快速响应的温度控制工具集支持晶片对准跳动控制。 EVG键合机掩模对准系列产品,使用的是**/先进的工程工艺。

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我们可以根据您的需求提供进行优化的多用途系统。

我们的掩模对准系统设计用于从掩模对准到键合对准的快速简便转换。此外,可以使用用于压印光刻的可选工具集,例如UV-纳米压印光刻,热压印或微接触印刷。所有系统均支持原位对准验证软件,以提高手动操作系统的对准精度和可重复性。EVG620 NT / EVG6200 NT可从手动到自动基片处理,实现现场升级。此外,所有掩模对准器都支持EVG专有的NIL技术。如果您需要纳米压印设备,请访问我们的官网,或者直接联系我们。 EVG150光刻胶处理系统拥有:Ergo装载盒式工作站/ SMIF装载端口/ SECS / GEM / FOUP装载端口。青海光刻机高性价比选择

EVG101是光刻胶处理,EVG105是光刻胶烘焙机,EVG120、EVG150是光刻胶处理自动化系统。青海光刻机推荐产品

EVG ® 105—晶圆烘烤模块

设计理念:单机EVG ® 105烘烤模块是专为软或后曝光烘烤过程而设计。

特点:可以在EVG105烘烤模块上执行软烘烤,曝光后烘烤和硬烘烤过程。受控的烘烤环境可确保均匀蒸发。可编程的接近销可提供对光刻胶硬化过程和温度曲线的**/佳控制。EVG105烘烤模块可以同时处理300 mm的晶圆尺寸或4个100 mm的晶圆。


特征

**烘烤模块

晶片尺寸**/大为300毫米,或同时**多四个100毫米晶片

温度均匀性≤±1°C @ 100°C,**/高250°C烘烤温度

用于手动和安全地装载/卸载晶片的装载销

烘烤定时器

基材真空(直接接触烘烤)

N 2吹扫和近程烘烤0-1 mm距离晶片至加热板可选

不规则形状的基材


技术数据

晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米

烤盘:

温度范围:≤250°C


手动将升降杆调整到所需的接近间隙


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