EVG ® 850 DB 自动解键合机系统
全自动解键合,清洁和卸载薄晶圆
特色
技术数据
在全自动解键合机中,经过处理的临时键合晶圆叠层被分离和清洗,而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。支持的剥离方法包括UV激光,热剥离和机械剥离。使用所有解键合方法,都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。
特征
在有形和无形的情况下,都能可靠地处理变薄的,弯曲和翘曲的晶片
自动清洗解键合晶圆
程序控制系统
实时监控和记录所有相关过程参数
自动化工具中完全集成的SECS / GEM界面
适用于不同基板尺寸的桥接工具功能
模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量
技术数据
晶圆直径(基板尺寸)
高达300毫米
高达12英寸的薄膜面积
组态
解键合模块
清洁模块
薄膜裱框机
选件
ID阅读
多种输出格式
高形貌的晶圆处理
翘曲的晶圆处理 EVG键合机提供的加工服务。ComBond键合机美元报价
根据型号和加热器尺寸,EVG500系列键合机可以用于碎片和50 mm至300 mm的晶圆。这些工具的灵活性非常适合中等批量生产、研发,并且可以通过简单的方法进行大批量生产,因为键合程序可以转移到EVG GEMINI大批量生产系统中。
键合室配有通用键合盖,可快速排空,快速加热和冷却。通过控制温度,压力,时间和气体,允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂,可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的**温度控制补偿了不同的热膨胀系数,从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下,可以在真空下执行SOI / SDB(硅的直接键合)预键合。 西藏CMOS键合机EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额,并且安装的机台已经超过1500套。
EVG ® 301技术数据
晶圆直径(基板尺寸):200和100-300毫米
清洁系统
开室,旋转器和清洁臂
腔室:由PP或PFA制成(可选)
清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)
旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成
旋转:**/高3000 rpm(5秒内)
超音速喷嘴
频率:1 MHz(3 MHz选件)
输出功率:30-60 W
去离子水流量:**/高1.5升/分钟
有效清洁区域:Ø4.0 mm
材质:聚四氟乙烯
兆声区域传感器
频率:1 MHz(3 MHz选件)
输出功率:**/大 2.5 W /cm²有效面积(**/大输出200 W)
去离子水流量:**/高1.5升/分钟
有效的清洁区域:三角形,确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性
材质:不锈钢和蓝宝石
刷子
材质:PVA
可编程参数:刷子和晶圆速度(rpm)
可调参数(刷压缩,介质分配)
EVG ® 850 TB
自动化临时键合系统
全自动将临时晶圆晶圆键合到刚性载体上
特色
技术数据
全自动的临时键合系统可在一个自动化工具中实现整个临时键合过程-从临时键合剂的施加,烘焙,将设备晶圆与载体晶圆的对准和键合开始。与所有EVG的全自动工具一样,设备布局是模块化的,这意味着可以根据特定过程对吞吐量进行优化。可选的在线计量模块允许通过反馈回路进行全过程监控和参数优化。
由于EVG的开放平台,因此可以使用不同类型的临时键合粘合剂,例如旋涂热塑性塑料,热固性材料或胶带。 LowTemp™等离子激/活模块-适用于GEMINI和GEMINI FB等离子激/活,用于PAWB(等离子激/活的晶圆键合)。
Smart View ® NT自动键合对准系统,用于通用对准。
全自动键合对准系统,采用微米级面对面晶圆对准的专有方法进行通用对准
特色
技术数据
用于通用对准的Smart View NT自动键合对准系统提供了微米级面对面晶圆级对准的专有方法。这种对准技术对于在**技术的多个晶圆堆叠中达到所需的精度至关重要。Smart View技术可以与GEMINI晶圆键合系统结合使用,以在随后的全自动平台上进行永/久键合。
特征
适合于自动化和集成EVG键合系统(EVG560®,GEMINI ® 200和300mm配置)
用于3D互连,晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠 业内主流键合机使用工艺:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。河南SUSS键合机
EVG501键合机:卓/越的压力和温度均匀性、高真空键合室、自动键合和数据记录。ComBond键合机美元报价
EVG ® 510键合机特征
独特的压力和温度均匀性
兼容EVG机械和光学对准器
灵活的设计和配置,用于研究和试生产
将单芯片形成晶圆
各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合)
可选的涡轮泵(<1E-5 mbar)
可升级用于阳极键合
开室设计,易于转换和维护
生产兼容
高通量,具有快速加热和泵送规格
通过自动楔形补偿实现高产量
开室设计,可快速转换和维护
200 mm键合系统的**小占地面积:0.8
m 2
程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容
技术数据
**/大接触力
10、20、60 kN
加热器尺寸 150毫米 200毫米
**小基板尺寸 单芯片 100毫米
真空
标准:0.1毫巴
可选:1E-5 mbar
ComBond键合机美元报价
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