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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG ® 810 LT技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

50-200、100-300毫米

LowTemp™等离子活化室

工艺气体:2种标准工艺气体(N 2和O 2)

通用质量流量控制器:自校准(高达20.000 sccm)

真空系统:9x10 -2 mbar

腔室的打开/关闭:自动化

腔室的加载/卸载:手动(将晶圆/基板放置在加载销上)


可选功能

卡盘适用于不同的晶圆尺寸

无金属离子活化

混合气体的其他工艺气体

带有涡轮泵的高真空系统:9x10 -3 mbar基本压力


符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统

Si:Si / Si,Si / Si(热氧化,Si(热氧化)/

Si(热氧化)

TEOS / TEOS(热氧化)

绝缘体锗(GeOI)的Si / Ge

Si/Si3N4

玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃

化合物半导体:GaAs,GaP,InP

聚合物:PMMA,环烯烃聚合物


用户可以使用上述和其他材料的“**/佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)


键合机晶圆对准键合是晶圆级涂层,晶圆级封装,工程衬**造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等应用很实用的技术。EVG键合机值得买

EVG键合机值得买,键合机

对准晶圆键合是晶圆级涂层,晶圆级封装,工程衬**造,晶圆级3D集成和晶圆减薄方面很有用的技术。反过来,这些工艺也让MEMS器件,RF滤波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS图像传感器)的生产迅速增长。这些工艺也能用于制造工程衬底,例如SOI(绝缘体上硅)。

主流键合工艺为:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。采用哪种键合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。

键合机厂家EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验,拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。同时,EVG的GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。 EVG键合机应用EVG键合机使用直接(实时)或间接对准方法,能够支持大量不同的对准技术。

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EVG ® 510晶圆键合机系统

用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备完全兼容

特色

技术数据

EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统,可以处理从碎片到200 mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,例如阳极,玻璃粉,焊料,共晶,瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化,转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学,研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具(例如EVG GEMINI)上的键合室设计相同,键合程序易于转移,可轻松扩大生产规模。

EVG ® 520 IS晶圆键合机系统

单腔或双腔晶圆键合系统,用于小批量生产

特色

技术数据

EVG520 IS单腔单元可半自动操作**/大200 mm的晶圆,适用于小批量生产应用。EVG520 IS根据客户反馈和EV Group的持续技术创新进行了重新设计,具有EV Group专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。诸如**的顶侧和底侧加热器,高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势,为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。


特征

全自动处理,手动装卸,包括外部冷却站

兼容EVG机械和光学对准器

单室或双室自动化系统

全自动的键合工艺执行和键合盖移动

集成式冷却站可实现高产量

选项:

高真空能力(1E-6毫巴)

可编程质量流量控制器

集成冷却

技术数据

**/大接触力

10、20、60、100 kN

加热器尺寸     150毫米   200毫米

**小基板尺寸      单芯片   100毫米

真空

标准:1E-5 mbar


可选:1E-6 mbar


同时,EVG研发生产的的GEMINI系统是使用晶圆键合的量产应用的行业标准。

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EVG ® 850 LT 的LowTemp™等离子激/活模块

2种标准工艺气体:N 2和O 2以及2种其他工艺气体:高纯度气体(99.999%),稀有气体(Ar,He,Ne等)和形成气体(N 2,Ar含量**/高为4%的气体)2)

通用质量流量控制器:**多可对4种工艺气体进行自校准,可对配方进行编程,流速**/高可达到20.000 sccm

真空系统:9x10 -2 mbar(标准)和9x10 -3 mbar(涡轮泵选件),高频RF发生器和匹配单元


清洁站

清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选)

腔室:由PP或PFA制成

清洁介质:去离子水(标准),NH 4 OH和H 2 O 2(**/大)。2%浓度(可选)

旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成

旋转:**/高3000 rpm(5 s)

清洁臂:**多5条介质线(1个超音速系统使用2条线)


可选功能

ISO 3 mini-environment(根据ISO 14644)

LowTemp™等离子活化室

红外检查站 EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额,并且安装的机台已经超过1500套。河南SOI键合机

键合机供应商EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验,拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。EVG键合机值得买

EVG ® 501键合机特征

独特的压力和温度均匀性

兼容EVG机械和光学对准器

灵活的研究设计和配置

从单芯片到晶圆

各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合)

可选的涡轮泵(<1E-5mbar)

可升级用于阳极键合

开室设计,易于转换和维护

兼容试生产,适合于学校、研究所等

开室设计,易于转换和维护

200 mm键合系统的**小占地面积:0.8

平方米

程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容


EVG ® 501键合机技术数据

**/大接触力为20kN

加热器尺寸     150毫米   200毫米

**小基板尺寸      单芯片   100毫米

真空

标准:0.1毫巴


可选:1E-5 mbar


EVG键合机值得买

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