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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG ® 620 BA键合机选件

自动对准

红外对准,用于内部基板键对准

NanoAlign ®包增强加工能力

可与系统机架一起使用

掩模对准器的升级可能性


技术数据

常规系统配置

桌面

系统机架:可选

隔振:被动

对准方法

背面对准:±2 µm 3σ

透明对准:±1 µm 3σ

红外校准:选件

对准阶段

精密千分尺:手动

可选:电动千分尺

楔形补偿:自动

基板/晶圆参数

尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米

厚度:0.1-10毫米

**/高堆叠高度:10毫米

自动对准

可选的

处理系统

标准:3个卡带站

可选:**多5个站 晶圆键合系统EVG501是适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合机。EVG805键合机推荐产品

EVG805键合机推荐产品,键合机

EVG ® 520 IS晶圆键合机系统

单腔或双腔晶圆键合系统,用于小批量生产

特色

技术数据

EVG520 IS单腔单元可半自动操作**/大200 mm的晶圆,适用于小批量生产应用。EVG520 IS根据客户反馈和EV Group的持续技术创新进行了重新设计,具有EV Group专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。诸如**的顶侧和底侧加热器,高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势,为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。


特征

全自动处理,手动装卸,包括外部冷却站

兼容EVG机械和光学对准器

单室或双室自动化系统

全自动的键合工艺执行和键合盖移动

集成式冷却站可实现高产量

选项:

高真空能力(1E-6毫巴)

可编程质量流量控制器

集成冷却

技术数据

**/大接触力

10、20、60、100 kN

加热器尺寸     150毫米   200毫米

**小基板尺寸      单芯片   100毫米

真空

标准:1E-5 mbar


可选:1E-6 mbar


EV Group键合机用于生物芯片EVG键合机使用直接(实时)或间接对准方法,能够支持大量不同的对准技术。

EVG805键合机推荐产品,键合机

熔融和混合键合系统

熔融或直接晶圆键合可通过每个晶圆表面上的介电层永/久连接,该介电层用于工程衬底或层转移应用,例如背面照明的CMOS图像传感器。

混合键合扩展了与键合界面中嵌入的金属焊盘的熔融键合,从而允许晶片面对面连接。混合绑定的主要应用是高级3D设备堆叠。

EVG的熔融和混合键合设备包含:EVG301单晶圆清洗系统;EVG320自动化单晶圆清洗系统;EVG810 LT低温等离子激/活系统;EVG850 LT SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统;EVG850 SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统;GEMINI FB自动化生产晶圆键合系统;BONDSCALE自动化熔融键合生产系统。

EVG ® 820层压系统

将任何类型的干胶膜(胶带)自动无应力层压到晶圆上

特色

技术数据

EVG820层压站用于将任何类型的干胶膜自动,无应力地层压到载体晶片上。这项独特的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔,然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术,可以自由选择胶带的尺寸和尺寸,并且与基材无关。


特征

将任何类型的干胶膜自动,无应力和无空隙地层压到载体晶片上  

在载体晶片上精确对准的层压

保护套剥离

干膜层压站可被集成到一个EVG ® 850 TB临时键合系统

技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

高达300毫米

组态

1个打孔单元

底侧保护衬套剥离

层压

选件

顶侧保护膜剥离

光学对准


加热层压


EVG键合机跟应用相对应,键合方法一般分类页是有或没有夹层的键合操作。

EVG805键合机推荐产品,键合机

EVG ® 301特征

使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器(可选)进行高/效清洁

单面清洁刷(选件)

用于晶圆清洗的稀释化学品

防止从背面到正面的交叉污染

完全由软件控制的清洁过程


选件

带有红外检查的预键合台

非SEMI标准基材的工具


技术数据

晶圆直径(基板尺寸):200和100-300毫米

清洁系统

开室,旋转器和清洁臂

腔室:由PP或PFA制成(可选)

清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)

旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成

旋转:**/高3000 rpm(5秒内)

超音速喷嘴

频率:1 MHz(3 MHz选件)

输出功率:30-60 W

去离子水流量:**/高1.5升/分钟

有效清洁区域:Ø4.0 mm

材质:聚四氟乙烯 EVG键合机晶圆键合类型有:阳极键合、瞬间液相键合、共熔键合、黏合剂键合、热压键合。江苏EVG501键合机

晶圆级涂层、封装,工程衬**造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底,如SOI(绝缘体上硅)。EVG805键合机推荐产品

EVG ® 810 LT

LowTemp™等离子激/活系统

适用于SOI,MEMS,化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统


特色

技术数据

EVG810  LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔**单元。处理室允许进行异位处理(晶圆被一一激/活并结合在等离子体激/活室外部)。


特征

表面等离子体活化,用于低温粘结(熔融/分子和中间层粘结)

晶圆键合机制中**快的动力学

无需湿工艺

低温退火(**/高400°C)下的**/高粘结强度

适用于SOI,MEMS,化合物半导体和高级基板键合

高度的材料兼容性(包括CMOS) EVG805键合机推荐产品

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