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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

EVG120光刻胶自动处理系统附加模块选项

预对准:光学/机械

ID读取器:条形码,字母数字,数据矩阵

系统控制:

操作系统:Windows

文件共享和备份解决方案/无限制 程序和参数/离线程序编辑器

灵活的流程定义/易于拖放的程序编程

并行处理多个作业/实时远程访问,诊断和故障排除

多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR


分配选项:

各种光刻胶分配泵,可覆盖高达52000 cP的粘度

液体底漆/预湿/洗盘

去除边缘珠(EBR)/背面冲洗(BSR)

恒压分配系统/注射器分配系统

电阻分配泵具有流量监控功能

可编程分配速率/可编程体积/可编程回吸


超音波


EVG同样为客户提供量产型掩模对准系统。EVG光刻机

EVG光刻机,光刻机

HERCULES®

■   全自动光刻跟/踪系统,模块化设计,用于掩模和曝光,集成了预处理和后处理能力

■   高产量的晶圆加工

■   **多8个湿法处理模块以及多达24个额外烘烤,冷却和蒸汽填料板

■   基于EVG的IQ Aligner® 或者EVG®6200

NT技术进行对准和曝光

■   **的柜内化学处理

■   支持连续操作模式(CMO)

EVG光刻机可选项有:

手动和自动处理

我们所有的自动化系统还支持手动基片和掩模加载功能,以便进行过程评估。此外,该系统可以配置成处理弯曲,翘曲,变薄或非SEMI标准形状的晶片和基片。各种晶圆卡盘设计毫无任何妥协,带来**/大的工艺灵活性和基片处理能力。我们的掩模对准器配有机械或非接触式光学预对准器,以确保**/佳的工艺能力和产量。Load&Go选项可在自动化系统上提供超快的流程启动。 化合物半导体光刻机传感器应用我们可以根据您的需求提供进行优化的多用途系统。

EVG光刻机,光刻机

EVG ® 150特征:晶圆尺寸可达300毫米

多达6个过程模块

可自定义的数量-多达20个烘烤/冷却/汽化堆

多达四个FOUP装载端口或盒式磁带装载

可用的模块包括旋转涂层,喷涂,NanoCoat™,显影,烘烤/冷却/蒸气/上等

EV集团专有的OmniSpray ®超声波雾化技术提供了****的处理结果,当涉及到极端地形的保形涂层

可选的NanoSpray™模块实现了300微米深图案的保形涂层,长宽比**/高为1:10,垂直侧壁

广/泛的支持材料

烘烤模块温度高达250°C

Megasonic技术用于清洁,声波化学处理和显影,可提高处理效率并将处理时间从数小时缩短至数分钟


掩模对准系统:EVG的发明,例如1985年世界上较早的拥有底面对准功能的系统,开创了顶面和双面光刻,对准晶圆键合和纳米压印光刻的先例,并设定了行业标准。EVG通过不断开发掩模对准器产品来增强这些**光刻技术,从而在这些领域做出了贡献。

EVG的掩模对准系统可容纳尺寸**/大,尺寸和形状以及厚度**/大为300 mm的晶片和基板,旨在为高级应用提供先进的自动化程度和研发灵活性的复杂解决方案。EVG的掩模对准器和工艺能力已经过现场验证,并已安装在全球的生产设施中,以支持众多应用,包括高级封装,化合物半导体,功率器件,LED,传感器和MEMS制造。 EVG所有掩模对准器都支持EVG专有的NIL技术。

EVG光刻机,光刻机

EVG曝光光学:专门开发的分辨率增强型光学元件(REO)可提供高出50%的强度,并显着提高/分辨率,在接近模式下可达到小于3μm的分辨率。REO的特殊设计有助于控制干涉效应以获得分辨率。EVG**/新的曝光光学增强功能是LED灯设置。低能耗和长寿命是UV-LED光源的**/大优势,因为不需要预热或冷却。在用户软件界面中可以轻松、实际地完成曝光光谱设置。此外,LED需要*在曝光期间供电,并且该技术消除了对汞灯经常需要的额外设施(废气,冷却气体)和更换灯的需要。这种理想的组合不仅可以**/大限度地降低运行和维护成本,还可以增加操作员的安全性和环境友好性。在全球范围内,我们为许多用户提供了量产型的光刻机系统,并得到了他们的无数好评。晶圆光刻机优惠价格

HERCULES平台是“一站式服务”平台。EVG光刻机

光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的核心竞争力在于其掩模对准系统(EVG6xx和IQ Aligner系列)以及高度集成的涂层平台(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG的所有光刻设备平台均为300mm,可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中,并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装:在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口 ;在EVG的IQ

Aligner NT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂;负侧壁,带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层; 金属垫在结构的中间;用于LIGA结构的高纵横比结构,用EVG® IQ Aligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果;西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上,展示了高/分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力;MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。 EVG光刻机

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