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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

熔融和混合键合系统

熔融或直接晶圆键合可通过每个晶圆表面上的介电层永/久连接,该介电层用于工程衬底或层转移应用,例如背面照明的CMOS图像传感器。

混合键合扩展了与键合界面中嵌入的金属焊盘的熔融键合,从而允许晶片面对面连接。混合绑定的主要应用是高级3D设备堆叠。

EVG的熔融和混合键合设备包含:EVG301单晶圆清洗系统;EVG320自动化单晶圆清洗系统;EVG810 LT低温等离子激/活系统;EVG850 LT SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统;EVG850 SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统;GEMINI FB自动化生产晶圆键合系统;BONDSCALE自动化熔融键合生产系统。 EVG键合机提供的加工服务。值得买键合机联系电话

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EVG ® 510晶圆键合机系统

用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备完全兼容

特色

技术数据

EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统,可以处理从碎片到200 mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,例如阳极,玻璃粉,焊料,共晶,瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化,转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学,研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具(例如EVG GEMINI)上的键合室设计相同,键合程序易于转移,可轻松扩大生产规模。 上海EVG850 DB键合机EVG键合可选功能:阳极,UV固化,650℃加热器。

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EVG ® 850 SOI的自动化生产键合系统

自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用


特色

技术数据

SOI晶片是微电子行业有望生产出更快,性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术,可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850

SOI生产键合系统,SOI键合的所有基本步骤-从清洁和对准到预键合和红外检查-都结合了起来。因此,EVG850确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。EVG850是唯/一在高通量,高产量环境下运行的生产系统,已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。

EVG®501 晶圆键合机(系统)

■   研发和试生产的**/低

购置成本

■   真正的低强度晶圆楔形补偿系统,可实现**/高产量

■   强劲的压力和温度均匀性

■   自动键合和数据记录

■   高真空键合室

(使用真空涡轮增压泵,低至10-5

mbar)

■   开放式腔室设计,可实现快速转换和维护

■   Windows®操作软件和控制界面

■   **小占地面积的200 mm键合系统,只有 0.88 m2

EVG®510 晶圆键合机(系统)

■   拥有EVG®501键合机的所有功能

■   150和200mm晶圆的单腔系统

■   研发和试生产的**/佳购置成本

■   强劲的压力和温度均匀性

■   通过楔形补偿实现高产量

■   兼容EVG的HVM 键合系统

■   高产量,加速加热和优异的泵送能力 EVG所有键合机系统都可以通过远程通信的。

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Smart View NT键合机特征

适合于自动化和集成EVG键合系统(EVG560®,GEMINI ® 200和300mm配置)

用于3D互连,晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠

通用键合对准器(面对面,背面,红外和透明对准)

无需Z轴运动,也无需重新聚焦

基于Windows的用户界面

将键对对准并夹紧,然后再装入键合室

手动或全自动配置(例如:在GEMINI系统上集成)


Smart View ® NT选件

可以与EVG组合® 500系列晶圆键合系统,EVG ® 300系列清洁系统和EVG ®有带盒对盒操作完全自动化的晶圆到晶圆对准动作EVG810 LT等离子体系统


技术数据

基板/晶圆参数

尺寸:150-200、200-300毫米

厚度:0.1-5毫米

**/高堆叠高度:10毫米

自动对准

标准

处理系统

3个纸盒站(**/大200毫米)或2个FOUP加载端口(300毫米) EVG键合机键合工艺可在真空或受控气体条件下进行。上海EVG850 DB键合机

晶圆键合机系统 EVG®520 IS,拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能;200 mm的单个或双腔自动化系统。值得买键合机联系电话

EVG ® 520 IS晶圆键合机系统

单腔或双腔晶圆键合系统,用于小批量生产

特色

技术数据

EVG520 IS单腔单元可半自动操作**/大200 mm的晶圆,适用于小批量生产应用。EVG520 IS根据客户反馈和EV Group的持续技术创新进行了重新设计,具有EV Group专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。诸如**的顶侧和底侧加热器,高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势,为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。


特征

全自动处理,手动装卸,包括外部冷却站

兼容EVG机械和光学对准器

单室或双室自动化系统

全自动的键合工艺执行和键合盖移动

集成式冷却站可实现高产量

选项:

高真空能力(1E-6毫巴)

可编程质量流量控制器

集成冷却

技术数据

**/大接触力

10、20、60、100 kN

加热器尺寸     150毫米   200毫米

**小基板尺寸      单芯片   100毫米

真空

标准:1E-5 mbar


可选:1E-6 mbar


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