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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG ® 850 LT SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统

用途:自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用


特色

技术数据

晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合,熔融了熔融的所有基本步骤-从清洁,等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此,经过实践检验的行业标准EVG850

LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量,高产量生产工艺。 EVG键合可选功能:阳极,UV固化,650℃加热器。EVG6200键合机美元报价

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EVG ® 820层压系统

将任何类型的干胶膜(胶带)自动无应力层压到晶圆上

特色

技术数据

EVG820层压站用于将任何类型的干胶膜自动,无应力地层压到载体晶片上。这项独特的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔,然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术,可以自由选择胶带的尺寸和尺寸,并且与基材无关。


特征

将任何类型的干胶膜自动,无应力和无空隙地层压到载体晶片上  

在载体晶片上精确对准的层压

保护套剥离

干膜层压站可被集成到一个EVG ® 850 TB临时键合系统

技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

高达300毫米

组态

1个打孔单元

底侧保护衬套剥离

层压

选件

顶侧保护膜剥离

光学对准


加热层压


湖南键合机要多少钱EVG键合机键合工艺可在真空或受控气体条件下进行。

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EVG ® 850 LT 的LowTemp™等离子激/活模块

2种标准工艺气体:N 2和O 2以及2种其他工艺气体:高纯度气体(99.999%),稀有气体(Ar,He,Ne等)和形成气体(N 2,Ar含量**/高为4%的气体)2)

通用质量流量控制器:**多可对4种工艺气体进行自校准,可对配方进行编程,流速**/高可达到20.000 sccm

真空系统:9x10 -2 mbar(标准)和9x10 -3 mbar(涡轮泵选件),高频RF发生器和匹配单元


清洁站

清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选)

腔室:由PP或PFA制成

清洁介质:去离子水(标准),NH 4 OH和H 2 O 2(**/大)。2%浓度(可选)

旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成

旋转:**/高3000 rpm(5 s)

清洁臂:**多5条介质线(1个超音速系统使用2条线)


可选功能

ISO 3 mini-environment(根据ISO 14644)

LowTemp™等离子活化室

红外检查站

EVG ® 850 TB

自动化临时键合系统

全自动将临时晶圆晶圆键合到刚性载体上

特色

技术数据

全自动的临时键合系统可在一个自动化工具中实现整个临时键合过程-从临时键合剂的施加,烘焙,将设备晶圆与载体晶圆的对准和键合开始。与所有EVG的全自动工具一样,设备布局是模块化的,这意味着可以根据特定过程对吞吐量进行优化。可选的在线计量模块允许通过反馈回路进行全过程监控和参数优化。

由于EVG的开放平台,因此可以使用不同类型的临时键合粘合剂,例如旋涂热塑性塑料,热固性材料或胶带。 晶圆级涂层、封装,工程衬**造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底,如SOI(绝缘体上硅)。

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完美的多用户概念(无限数量的用户帐户,各种访问权限,不同的用户界面语言)

桌面系统设计,占用空间**小

支持红外对准过程


EVG ® 610 BA 键合机技术数据

常规系统配置

桌面

系统机架:可选

隔振:被动

对准方法

背面对准:±2 µm 3σ

透明对准:±1 µm 3σ

红外校准:选件


对准阶段

精密千分尺:手动

可选:电动千分尺


楔形补偿:自动

基板/晶圆参数

尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米

厚度:0.1-10毫米

**/高堆叠高度:10毫米

自动对准

可选的

处理系统

标准:2个卡带站

可选:**多5个站


EVG 晶圆键合机上的键合过程是怎么样的呢?甘肃GEMINI键合机

EVG的EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS这几个型号用于研发的键合机。EVG6200键合机美元报价

EVG ® 850

特征

生产系统可在高通量,高产量环境中运行

自动盒带间或FOUP到FOUP操作

无污染的背面处理

超音速和/或刷子清洁

机械平整或缺口对准的预键合

先进的远程诊断


技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

100-200、150-300毫米

全自动盒带到盒带操作

预键合室

对准类型:平面到平面或凹口到凹口

对准精度:X和Y:±50 µm,θ:±0.1°

结合力:**/高5 N

键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活

真空系统:9x10 -2 mbar(标准)和9x10 -3 mbar(涡轮泵选件)


清洁站

清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选)

腔室:由PP或PFA制成(可选)

清洁介质:去离子水(标准),NH 4 OH和H 2 O 2(**/大)。2%浓度(可选)

旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成

旋转:**/高3000 rpm(5 s)

清洁臂:**多5条介质线(1个超音速系统使用2条线)


可选功能

ISO 3 mini-environment(根据ISO 14644)

LowTemp™等离子活化室


红外检查站


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