GEMINI ® FB自动化生产晶圆键合系统 集成平台可实现高精度对准和熔融 特色 技术数据 半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系统扩展了当前标准，并结合了更高的生产率，更高的对准度和覆盖精度，适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统具有新的Smart View NT3键合对准器，该键合对准器是专门为 <50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。根据键合机型号和加热器尺寸，EVG500系列键合机可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圆。北京键合机质量怎么样
BONDSCALE™自动化生产熔融系统启用3D集成以获得更多收益特色技术数据EVGBONDSCALE™自动化生产熔融系统旨在满足广fan的熔融/分子晶圆键合应用，包括工程化的基板制造和使用层转移处理的3D集成方法，例如单片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG将晶片键合应用于前端半导体处理中，并帮助解决内部设备和系统路线图（IRDS）中确定的“超摩尔”逻辑器件扩展的长期挑战。结合增强的边缘对准技术，与现有的熔融键合平台相比，BONDSCALE大幅提高了晶圆键合生产率，并降低了拥有成本（CoO）。红外键合机有哪些应用EVG键合机软件，支持多语言，集成错误记录/报告和恢复和单个用户帐户设置，可以简化用户常规操作。
EVG®620BA键合机选件 自动对准 红外对准，用于内部基板键对准 NanoAlign®包增强加工能力 可与系统机架一起使用 掩模对准器的升级可能性 技术数据 常规系统配置 桌面 系统机架：可选 隔振：被动 对准方法 背面对准：±2µm3σ 透明对准：±1µm3σ 红外校准：选件 对准阶段 精密千分尺：手动 可选：电动千分尺 楔形补偿：自动 基板/晶圆参数 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 ZUI高堆叠高度：10毫米 自动对准 可选的 处理系统 标准：3个卡带站 可选：ZUI多5个站
ZiptronixInc.与EVGroup（简称“EVG”）近日宣布已成功地在客户提供的300毫米DRAM晶圆实现亚微米键合后对准精度。方法是在EVGGeminiFB产品融合键合机和SmartViewNT键合对准机上采用Ziptronix的DBI混合键合技术。这种方法可用于制造各种应用的微间距3D集成电路，包括堆栈存储器、上等图像传感器和堆栈式系统芯片(SoC)。Ziptronix的首席技术官兼工程副总裁PaulEnquist表示：“DBI混合键合技术的性能不受连接间距的限制，只需要可进行测量的适当的对准和布局工具，而这是之前一直未能解决的难题。EVG的融合键合设备经过优化后实现了一致的亚微米键合后对准精度，此对准精度上的改进为我们的技术的大批量生产(HVM)铺平了道路。” EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺，这对于当今和未来的器件制造是至关重要。
晶圆级封装是指在将要制造集成电路的晶圆分离成单独的电路之前，通过在每个电路周围施加封装来制造集成电路。由于在部件尺寸以及生产时间和成本方面的优势，该技术在集成电路行业中迅速流行起来。以此方式制造的组件被认为是芯片级封装的一种。这意味着其尺寸几乎与内部电子电路所位于的裸片的尺寸相同。集成电路的常规制造通常开始于将在其上制造电路的硅晶片的生产。通常将纯硅锭切成薄片，称为晶圆，这是建立微电子电路的基础。这些电路通过称为晶圆切割的工艺来分离。分离后，将它们封装成单独的组件，然后将焊料引线施加到封装上。 EVG键合机可配置为黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩工艺。红外键合机有哪些应用
EVG键合可选功能：阳极，UV固化，650℃加热器。北京键合机质量怎么样
封装技术对微机电系统 (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影响巨大，已成为 MEMS技术发展和实用化的关键技术［1］。实现封装的技术手段很多，其中较关键的工艺步骤就是键合工艺。随着 MEMS 技术的发展，越来越多的器件封装需要用到表面带有微结构的硅片键合，然而MEMS器件封装一般采用硅—硅直接键合( silicon directly bonding，SDB) 技术［2］。由于表面有微结构的硅片界面已经受到极大的损伤，其平整度和光滑度远远达不到SDB的要求，要进行复杂的抛光处理，这DADA加大了工艺的复杂性和降低了器件的成品率［3］。 北京键合机质量怎么样
