nGaAs是由两种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成的三元系半导体化合物，它的带隙随组分比例的变化而变化。基于此材料制备的IR探测器，其响应截止波长可达到3μm以上，响应范围完全覆盖NIR波段，是该波段探测器团体里**重要的成员。在该体系下，其他化合物性能如下图所示：与其它的常用IR探测器相比，InGaAs探测器的兴起较晚，在上世纪80年代才开始走进人类的视野。近年来，得益于NIR成像的强势崛起，InGaAs的发展势头也十分迅猛。在实际生产中，一般将InGaAs材料生长在磷化铟(InP)衬底上，红外热像仪两者的晶格失配度也会随InGaAs组分的变化而变化。建筑领域在国外是红外热像仪应用比较广的行业，渗水、保暖、鼓包、霉变等。但是国内还是未开垦的领域。铝材测温红外热像仪试用
镜头是热像仪中一个很重要的部件，观看效果、视野范围是否受到局限都和镜头的大小有关，一般市面上的镜头大概是在14mm~75mm之间不等。热像仪的镜头镜片是专业镜片，不是传统的夜视仪或者普通望远镜使用的那种镜片。热像仪的镜片工厂采购时,是按重量多少克去进行购买的。比如F44的镜片成本大约就会在5000元左右。而小镜头成本大约只有几百元。更大的镜头成本会更贵。拥有75mm超大口径的物镜，让您在观看目标的时候视野宽广、不受局限，数码放大比较高可以达到16倍，不仅拉近观看目标的距离，还可以很清晰的识别。在同类热像仪当中，这款机器的镜头是比较大的固定式红外热像仪批发红外热像仪自动报警，发现目标设备温度异常自动报警，存储设备工作状态热图，提示工作人员具**置。
美国**高空区域防御系统(Theatre High Altitude Area Defense, THAAD)即萨德系统,其拦截导弹的IR导引头就采用了RVS生产的AE194 InSb FPA探测器｡RVS生产的小型InSb FPA探测器还大量地应用到了美国第四代空-空导弹的制导系统中｡由美国SBRC(Santa Barbara Research Center)主持､美国国家光学天文台(National Optical Astronomy Observatories, NOAO)和美国海军天文台(U.S.Naval Observatory, USNO)协同参与的ALADDIN(advanced large area detector development in lnSb)计划,其研制的1024x1024像元规模的InSb FPA探测器应用到了天文观测中。作为ALADDIN的升级产品,ORION将InSb FPA的像元规模提升至2Kx2K,该计划在RVS､NOAO和USNO的共同努力下也已经顺利完成,其红外热像仪产品在美国天文事业的发展中发挥着重要作用｡
测量表面温度一般采用非接触红外高温计，必须注意在测量时需要调整红外热像仪所使用的发射率ε，发射率是材料及其表面状况的特性，采用不正确的发射率会产生明显的测量误差。有两种方法可以在静态表面上校准发射率，***个方法是使用接触式高温计测量温度，然后将红外高温计指向同一点并调整发射率，直到温度读数与接触式温度计的读数相同；第二个方法是在被测表面粘上黑胶布，或者涂上黑漆，然后用测得的温度校准红外高温计。常用特定温度下水泥窑系统表面发射率见表1。对监测画面关键点或区域温度设置红外热像仪Modbus 值输出及现场报警。
(2)InSb探测器(PC&PV)InSb属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它是**早应用于IR探测技术的材料之一,其生长技术已发展得非常成熟｡在液氮温度下,InSb带隙所对应的波长稍稍大于5μm,此时InSb探测器的响应范围完美覆盖MIR波段,且探测率能在整个MIR波段维持很高的水平,因此InSb探测器在MIR波段探测方面有着举足轻重的地位｡下图是InSb半导体材料及完成后的芯片。随着红外热像仪工作温度的上升,InSb探测器的量子效率可维持不变,直至160K才开始逐渐衰减｡InSb FPA探测器被广泛应用到了***与天文领域,美国RVS(Raytheon Vision Systems)是这类探测器比较大且**出色的制造商｡因此，红外热像仪是变电站设备无人值守监控时的选择。铝材测温红外热像仪试用
红外热像仪比较高支持0.03℃的热灵敏度，也就是它能识别0.03℃的温差。铝材测温红外热像仪试用
红外热像仪作为一种非接触式的温度测量设备，具有其独特的优点：隐蔽性好：由于红外热像仪进行的是非接触式检测与识别，因此它在使用时不易被发现，保证了操作者的安全性和有效性。不受电磁干扰：红外热像仪利用的是热红外线，这使得它在工作时不会受到电磁干扰，能远距离精确跟踪热目标。全天候监控：红外热像仪可以实现24小时全天候监控，无论是白天还是夜晚，都可以进行有效的温度测量。探测能力强：红外热像仪的探测能力强，作用距离远，可以在敌方防卫武器射程之外实施观察。铝材测温红外热像仪试用
