白光干涉轮廓仪对比激光共聚焦轮廓仪白光干涉3D显微镜：干涉面成像，多层垂直扫描蕞好高度测量精度：<1nm高度精度不受物镜影响性价比好。激光共聚焦3D显微镜：点扫描合成面成像，多层垂直扫描Keyence（日本）蕞好高度测量精度：～10nm高度精度由物镜决定，1um精度@10倍90万-130万三维光学轮廓仪采用白光轴向色差原理（性能优于白光干涉轮廓仪与激光干涉轮廓仪）对样品表面进行快速、重复性高、高分辨率的三维测量，测量范围可从纳米级粗糙度到毫米级的表面形貌，台阶高度，给MEMS、半导体材料、太阳能电池、医疗工程、制药、生物材料，光学元件、陶瓷和先进材料的研发和生产提供了一个精确的、价格合理的计量方案。（来自网络）。 ，轮廓仪是一种重要的测量工具，可以帮助企业提高产品质量和生产效率。半导体轮廓仪技术原理
轮廓仪对所测样品的尺寸有何要求？答：轮廓仪对载物台xy行程为140*110mm（可扩展），Z向测量范围蕞大可达10mm，但由于白光干涉仪单次测量区域比较小（以10X镜头为例，在1mm左右），因而在测量大尺寸的样品时，全检的方式需要进行拼接测量，检测效率会比较低，建议寻找样品表面的特征位置或抽取若干区域进行抽点检测，以单点或多点反映整个面的粗糙度参数；4.测量的蕞小尺寸是否可以达到12mm，或者能够测到更小的尺寸？如果需要了解更多，请访问官网。福建轮廓仪厂家LED光源通过多珍孔盘（MPD）和物镜聚焦到样品表面上，从而反射光。
如何正确使用轮廓仪准备工作1.测量前准备。2.开启电脑、打开机器电源开关、检查机器启动是否正常。3.擦净工件被测表面。测量1.将测针正确、平稳、可靠地移动在工件被测表面上。2.工件固定确认工件不会出现松动或者其它因素导致测针与工件相撞的情况出现3.在仪器上设置所需的测量条件。4.开始测量。测量过程中不可触摸工件更不可人为震动桌子的情况产生。5.测量完毕，根据图纸对结果进行分析，标出结果，并保存、打印。轮廓的角度处理:角度处理：两直线夹角、直线与Y轴夹角、直线与X轴夹角点线处理：两直线交点、交点到直线距离、交点到交点距离、交点到圆心距离、交点到点距离圆处理：圆心距离、圆心到直线的距离、交点到圆心的距离、直线到切点的距离线处理：直线度、凸度、LG凸度、对数曲线
轮廓仪的主要客户群体300mm集成电路技术封装生产线检测集成电路工艺技术研发和产业化国家重点实验室高效太阳能电池技术研发、产业化MEMS技术研发和产业化新型显示技术研发、产业化超高精密表面工程技术轮廓仪是一种两坐标测量仪器，仪器传感器相对被测工件表而作匀速滑行，传感器的触针感受到被测表而的几何变化，在X和Z方向分别采样，并转换成电信号，该电信号经放大和处理，再转换成数字信号储存在计算机系统的存储器中，计算机对原始表而轮廓进行数字滤波，分离掉表而粗糙度成分后再进行计算，测量结果为计算出的符介某种曲线的实际值及其离基准点的坐标，或放大的实际轮廓曲线，测量结果通过显示器输出，也可由打印机输出。（来自网络）。具备异常报警，急停等功能，报警信息可储存。
轮廓仪的性能测量模式：移相干涉（PSI），白光垂直扫描干涉（VSI），单色光垂直扫描干涉（CSI）样品台：150mm/200mm/300mm样品台（可选配）XY平移：±25mm/150mm/200mm/300mm，倾斜：±5°可选手动/电动样品台CCD相机像素：标配：1280×960视场范围：560×750um（10×物镜）具体视场范围取决于所配物镜及CCD相机光学系统：同轴照明无限远干涉成像系统光源：高效LEDZ方向聚焦80mm手动聚焦（可选电动聚焦）Z方向扫描范围精密PZT扫描(可选择高精密机械扫描，拓展达10mm)纵向分辨率＜0.1nmRMS重复性*0.005nm，1σ台阶测量**准确度≤0.75％；重复性≤0.1%，1σ横向分辨率≥0.35um（100倍物镜）检测速度≤35um/sec,与所选的CCD当激光或光电传感器沿着物体表面移动时，轮廓仪会记录下物体表面的高度或位置信息。半导体轮廓仪技术原理
但是在共焦图像中，通过多珍孔盘的操作滤除模糊细节（未聚焦），只有来自聚焦平面的光到达CCD相机。半导体轮廓仪技术原理
轮廓仪的性能测量模式移相干涉（PSI），白光垂直扫描干涉（VSI），单色光垂直扫描干涉（CSI）样品台150mm/200mm/300mm样品台（可选配）XY平移：±25mm/150mm/200mm/300mm，倾斜：±5°可选手动/电动样品台CCD相机像素标配：1280×960视场范围560×750um（10×物镜）具体视场范围取决于所配物镜及CCD相机光学系统同轴照明无限远干涉成像系统光源高效LEDZ方向聚焦80mm手动聚焦（可选电动聚焦）Z方向扫描范围精密PZT扫描(可选择高精密机械扫描，拓展达10mm)纵向分辨率＜0.1nmRMS重复性*0.005nm，1σ台阶测量**准确度≤0.75％；重复性≤0.1%，1σ横向分辨率≥0.35um（100倍物镜）检测速度≤35um/sec,与所选的CCD半导体轮廓仪技术原理
