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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

EVG120特征:晶圆尺寸可达200毫米超紧凑设计,占用空间蕞小蕞多2个涂布/显影室和10个加热/冷却板用于旋涂和喷涂,显影,烘烤和冷却的多功能模块的多功能组合为许多应用领域提供了巨大的机会化学柜,用于化学品的外部存储EV集团专有的OmniSpray®超声波雾化技术提供了没人可比的处理结果,当涉及到极端地形的保形涂层CoverSpinTM旋转盖可降低光刻胶消耗并优化光刻胶涂层的均匀性Megasonic技术用于清洁,声波化学处理和显影,可提高处理效率并将处理时间从数小时缩短至数分钟EVG的掩模对准目标是适用于高达300mm的不同的厚度,尺寸,形状的晶圆和基片。浙江半导体设备光刻机

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此外,EVG光刻机不断关注未来的市场趋势-例如光学3D传感和光子学-并为这些应用开发新的方案和调整现有的解决方案,以满足客户不断变化的需求。我们用持续的技术和市场地位证明了这一点,包括EVG在使用各种非标准抗蚀剂方面的无人能比的经验,这些抗蚀剂针对独特的要求和参数进行了优化。了解客户需求和有效的全球支持是我们提供优先解决方案的重要基础。只有接近客户才能得知客户蕞真实的需求,这是我们一直时刻与客户保持联系的原因之一。浙江半导体设备光刻机光刻机利用光学原理将光线聚焦在光刻胶上,通过光刻胶的曝光和显影过程,将芯片设计图案转移到硅片上。

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光刻机软件支持基于Windows的图形用户界面的设计,注重用户友好性,并可轻松引导操作员完成每个流程步骤。多语言支持,单个用户帐户设置和集成错误记录/报告和恢复,可以简化用户的日常操作。所有EVG系统都可以远程通信。因此,我们的服务包括通过安全连接,电话或电子邮件,对包括经过现场验证的,实时远程诊断和排除故障。EVG经验丰富的工艺工程师随时准备为您提供支持,这得益于我们分散的全球支持机构,包括三大洲的洁净室空间:欧洲(HQ),亚洲(日本)和北美(美国).

EVG的光刻机技术:EVG在光刻技术上的关键能力在于其掩模对准器的高产能,接触和接近曝光功能以及其光刻胶处理系统的内部处理的相关知识。EVG的所有光刻设备平台均支持300毫米的晶圆,可以完全集成到其HERCULES光刻轨道系统中,并配有用于从上到下的侧面对准验证的度量工具。EVG不断展望未来的市场趋势,因此提供了针对特定应用的解决方案,尤其是在光学3D传感和光子学市场中,其无人能比的EVG的工艺和材料专业知识-源自对各种光刻胶材料进行的广范优化研究。了解客户需求并提供有效的全球支持是EVG光刻解决方案成功的重要因素。EVG在要求苛刻的应用中积累了多年的光刻胶旋涂和喷涂经验。

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EVG6200NT附加功能:键对准红外对准纳米压印光刻(NIL)EVG6200NT技术数据:曝光源汞光源/紫外线LED光源先进的对准功能手动对准/原位对准验证自动对准动态对准/自动边缘对准对准偏移校正算法EVG6200NT产能:全自动:弟一批生产量:每小时180片全自动:吞吐量对准:每小时140片晶圆晶圆直径(基板尺寸):高达200毫米对准方式:上侧对准:≤±0.5µm底侧对准:≤±1,0µm红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基板材料键对准:≤±2,0µmNIL对准:≤±3.0µm曝光设定:真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿:全自动软件控制曝光选项:间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR实时远程访问,诊断和故障排除工业自动化功能:盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄,弯曲,翘曲,边缘晶圆处理纳米压印光刻技术:SmartNILEVG同样为客户提供量产型掩模对准系统。实验室光刻机

所有系统均支持原位对准验证的软件,可以提高手动操作系统的对准精度和可重复性。浙江半导体设备光刻机

光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统(EVG6xx和IQAligner系列)以及高度集成的涂层平台(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG的所有光刻设备平台均为300mm,可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中,并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装:在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口;在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂;负侧壁,带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间;用于LIGA结构的高纵横比结构,用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果;西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上,展示了高分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力;MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。浙江半导体设备光刻机

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