由于大尺寸HgCdTe FPA探测器的制作成本居高不下,QWIP FPA探测器被寄予厚望,因而发展迅速｡在LWIR波段,目前QWIP FPA探测器的性能足以与**的HgCdTe相媲美｡QWIP也存在一些缺点:因存在与子带间跃迁相关的基本限制,QWIP需要的工作温度较低(一般低于液氮温度)，QWIP的量子效率普遍很低｡一般而言,PC探测器的响应速度比PV慢,但QWIP PC探测器的响应速度与其它PV红外热像仪相当,所以大规模QWIP FPA探测器也被研制了出来｡与HgCdTe—样,QWIP FPA探测器也是第三代IR成像系统的重要成员,这类探测器在民用与天文等领域都有着大量的使用案例｡实时显示：实时显示全辐射红外热图，值班人员可通过红外热像仪查看任意位置的温度。单晶炉红外热像仪推荐货源
铅盐探测器一般指基于PbS和PbSe等IV-VI族半导体材料制作的PC探测器,它们中的PbS探测器早在二战期间就已经投入到***的实际应用之中｡直至现在,红外热像仪因其低廉的生产成本与室温下优良的灵敏度等优势,这类探测器仍占据着一定比例的商用市场,许多**制造商对此均有涉足,如美国CalSensors､NewEngland Photodetectors､Thorlabs､TJT,西班牙New Infrared Technologies以及日本滨松(Hamamatsu)等｡然而,由于银盐材料的介电常数很高,这类探测器的响应速度比一般的光子探测器都要慢,这一劣势很大程度上限制了相应的大规模FPA探测器的发展,截至2014年,铅盐FPA探测器像元达到了320x256中等规模｡PYROLINE HS320N compact+ 红外热像仪口碑好红外热像仪自动报警，发现目标设备温度异常自动报警，存储设备工作状态热图，提示工作人员具**置。
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红外热像仪QWIP的基础结构是多量子阱结构,虽然该结构可以被许多Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料所实现,但基于GaAs/铝镓砷(AlGaAs)材料制作的QWIP是应用***､技术成熟､性能优异的QWIP｡对于通过改变GaAs/AlGaAs材料中A1的原子百分比,可使相应的QWIP连续覆盖MIR､LWIR甚至VLWIR波段｡GaAs/AlGaAs材料体系在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料团体里能一枝独秀的**主要原因是,它与GaAs衬底在所有的A1组分条件下都能实现非常完美的晶格匹配,这一优势使该材料体系的生长技术既成熟又低廉,极大地推动了GaAs/AlGaAs QWIP的发展｡一般而言,大家所谓的QWIP都特指GaAs/AlGaAs QWIP｡对监测画面关键点或区域温度设置红外热像仪Modbus 值输出及现场报警。
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