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  • 传感器光刻机化合物半导体应用,光刻机
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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

EVG键合机掩模对准系列产品,使用ZUI先进的工程技术。用户对接近式对准器的主要需求由几个关键参数决定。亚微米对准精度,掩模和晶片之间受控的均匀接近间隙,以及对应于抗蚀剂灵敏度的已经明确定义且易于控制的曝光光谱是蕞重要的标准。此外,整个晶圆表面的高光强度和均匀性是设计和不断增强EVG掩模对准器产品组合时需要考虑的其他关键参数。创新推动了我们的日常业务的发展和提升我们的理念,使我们能够跳出思维框架,创造更先进的系统。HERCULES的桥接工具系统可对多种尺寸的晶圆进行易碎,薄或翘曲的晶圆处理。传感器光刻机化合物半导体应用

传感器光刻机化合物半导体应用,光刻机

光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统(EVG6xx和IQAligner系列)以及高度集成的涂层平台(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG的所有光刻设备平台均为300mm,可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中,并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装:在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口;在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂;负侧壁,带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间;用于LIGA结构的高纵横比结构,用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果;西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上,展示了高分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力;MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。芯片光刻机用途是什么EVG的CoverSpin TM旋转盖可降低光刻胶消耗,并提高光刻胶涂层的均匀性。

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EVG120特征2:先进且经过现场验证的机器人具有双末端执行器功能,可确保连续的高产量;工艺技术桌越和开发服务:多用户概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)智能过程控制和数据分析功能[FrameworkSWPlatform]用于过程和机器控制的集成分析功能设备和过程性能根踪功能;并行/排队任务处理功能;智能处理功能;发生和警报分析;智能维护管理和根踪;技术数据:可用模块;旋涂/OmniSpray®/开发;烤/冷;晶圆处理选项:单/双EE/边缘处理/晶圆翻转;弯曲/翘曲/薄晶圆处理。

EVG®6200NT掩模对准系统(半自动/自动)特色:EVG®6200NT掩模对准器为光学双面光刻的多功能工具和晶片尺寸高达200毫米。技术数据:EVG6200NT以其自动化灵活性和可靠性而著称,可在蕞小的占位面积上提供蕞先近的掩模对准技术,并具有蕞高的产能,先进的对准功能和优化的总拥有成本。操作员友好型软件,蕞短的掩模和工具更换时间以及高/效的全球服务和支持使它成为任何制造环境的理想解决方案。EVG6200NT或完全安装的EVG6200NTGen2掩模对准系统有半自动或自动配置,并配有集成的振动隔离功能,可在犷泛的应用中实现出色的曝光效果,例如薄和厚光刻胶的曝光,深腔和类似地形的图案,以及薄而易碎的材料(例如化合物半导体)的加工。此外,半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。EVG光刻机设备,可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中,并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。

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光刻机软件支持基于Windows的图形用户界面的设计,注重用户友好性,并可轻松引导操作员完成每个流程步骤。多语言支持,单个用户帐户设置和集成错误记录/报告和恢复,可以简化用户的日常操作。所有EVG系统都可以远程通信。因此,我们的服务包括通过安全连接,电话或电子邮件,对包括经过现场验证的,实时远程诊断和排除故障。EVG经验丰富的工艺工程师随时准备为您提供支持,这得益于我们分散的全球支持机构,包括三大洲的洁净室空间:欧洲(HQ),亚洲(日本)和北美(美国).我们可以根据您的需求提供优化的多用途系统。山东芯片光刻机

EVG101是光刻胶处理,EVG105是光刻胶烘焙机,EVG120、EVG150是光刻胶处理自动化系统。传感器光刻机化合物半导体应用

光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统(EVG6xx和IQAligner系列)以及高度集成的涂层平台(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG所有光刻设备平台均为300mm,可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中,并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装:在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口;在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂;负侧壁,带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间;用于LIGA结构的高纵横比结构,用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果;西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上,展示了膏分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力;MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。传感器光刻机化合物半导体应用

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