GEMINI®FB特征：新的SmartView®NT3面-面结合对准具有亚50纳米晶片到晶片的对准精度多达六个预处理模块，例如：清洁模块LowTemp™等离子基活模块对准验证模块解键合模块XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现ZUI高吞吐量可选功能：解键合模块热压键合模块技术数据晶圆直径（基板尺寸）200、300毫米蕞高处理模块数：6+的SmartView®NT可选功能：解键合模块热压键合模块EVG的GEMINIFBXT集成熔融键合系统，扩展了现有标准，并拥有更高的生产率，更高的对准和涂敷精度，适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统采用了新的SmartViewNT3键合对准器，该键合对准器是专门为<50nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。Smart View®NT-适用于GEMINI和GEMINI FB，让晶圆在晶圆键合之前进行晶圆对准。实际价格键合机竞争力怎么样
EVG501晶圆键合机，先进封装，TSV，微流控加工。基本功能：用于学术和工业研究的多功能手动晶圆键合系统。适用于：微流体芯片，半导体器件处理，MEMS制造，TSV制作，晶圆先进封装等。一、简介：EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统，可处理从单芯片到150mm(200mm键合室的情况下为200mm)的基片。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，如阳极，玻璃料，焊料，共晶，瞬态液相和直接键合。易于操作的键合室和工具设计，让用户能快速，轻松地重新装配不同的晶圆尺寸和工艺，转换时间小于5分钟。这种多功能性适合大学，研发机构或小批量生产。键合室的基本设计在EVG的HVM(量产)工具上是相同的，例如GEMINI，键合程序很容易转移，这样可以轻松扩大生产量。二、特征：带有150mm或200mm加热器的键合室独特的压力和温度均匀性与EVG的机械和光学对准器兼容灵活的设计和研究配置从单芯片到晶圆各种工艺(共晶，焊料，TLP，直接键合)可选涡轮泵(<1E-5mbar)可升级阳极键合开放式腔室设计，便于转换和维护试生产需求：同类产品中比较低拥有成本开放式腔室设计，便于转换和维护ZUI小占地面积的200mm键合系统程序与EVGHVM键合系统完全兼容。三、参数：ZUI大键合力：20kN，加热器尺寸：150mm。实际价格键合机竞争力怎么样晶圆键合机（系统）EVG®510 ，拥有150、200mm晶圆单腔系统 ；拥有EVG®501 键合机所有功能。
EVG®501键合机特征：独特的压力和温度均匀性；兼容EVG机械和光学对准器；灵活的研究设计和配置；从单芯片到晶圆；各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合）；可选的涡轮泵（<1E-5mbar）；可升级用于阳极键合；开室设计，易于转换和维护；兼容试生产，适合于学校、研究所等；开室设计，易于转换和维护；200mm键合系统的ZUI小占地面积：0.8平方米；程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容。EVG®501键合机技术数据ZUI大接触力为20kN加热器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸单芯片100毫米真空标准：0.1毫巴可选：1E-5mbar
一旦认为模具有缺陷，墨水标记就会渗出模具，以便于视觉隔离。典型的目标是在100万个管芯中，少于6个管芯将是有缺陷的。还需要考虑其他因素，因此可以优化芯片恢复率。质量体系确保模具的回收率很高。晶圆边缘上的裸片经常会部分丢失。芯片上电路的实际生产需要时间和资源。为了稍微简化这种高度复杂的生产方法，不对边缘上的大多数模具进行进一步处理以节省时间和资源的总成本。半导体晶圆的光刻和键合技术以及应用设备，可以关注这里：EVG光刻机和键合机。我们在不需重新配置硬件的情况下，EVG键合机可以在真空下执行SOI/SDB（硅的直接键合）预键合。
封装技术对微机电系统 (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影响巨大，已成为 MEMS技术发展和实用化的关键技术［1］。实现封装的技术手段很多，其中较关键的工艺步骤就是键合工艺。随着 MEMS 技术的发展，越来越多的器件封装需要用到表面带有微结构的硅片键合，然而MEMS器件封装一般采用硅—硅直接键合( silicon directly bonding，SDB) 技术［2］。由于表面有微结构的硅片界面已经受到极大的损伤，其平整度和光滑度远远达不到SDB的要求，要进行复杂的抛光处理，这DADA加大了工艺的复杂性和降低了器件的成品率［3］。晶圆键合系统EVG501是适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合设备。实际价格键合机竞争力怎么样
EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺，这对当今和未来的器件制造是至关重要。实际价格键合机竞争力怎么样
EVG®850SOI的自动化生产键合系统 自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 SOI晶片是微电子行业有望生产出更快，性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术，可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850 SOI生产键合系统，SOI键合的所有基本步骤-从清洁和对准到预键合和红外检查-都结合了起来。因此，EVG850确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。EVG850是wei一在高通量，高产量环境下运行的生产系统，已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。实际价格键合机竞争力怎么样
