EVG的光刻机技术：EVG在光刻技术上的关键能力在于其掩模对准器的高产能，接触和接近曝光功能以及其光刻胶处理系统的内部处理的相关知识。EVG的所有光刻设备平台均支持300毫米的晶圆，可以完全集成到其HERCULES光刻轨道系统中，并配有用于从上到下的侧面对准验证的度量工具。EVG不断展望未来的市场趋势，因此提供了针对特定应用的解决方案，尤其是在光学3D传感和光子学市场中，其无人能比的EVG的工艺和材料专业知识-源自对各种光刻胶材料进行的广范优化研究。了解客户需求并提供有效的全球支持是EVG光刻解决方案成功重要的因素。EVG的CoverSpin TM旋转盖可降低光刻胶消耗，并提高光刻胶涂层的均匀性。晶片光刻机技术原理
EVG6200NT附加功能：键对准红外对准纳米压印光刻（NIL）EVG6200NT技术数据：曝光源汞光源/紫外线LED光源先进的对准功能手动对准/原位对准验证自动对准动态对准/自动边缘对准对准偏移校正算法EVG6200NT产能：全自动：弟一批生产量：每小时180片全自动：吞吐量对准：每小时140片晶圆晶圆直径（基板尺寸）：高达200毫米对准方式：上侧对准：≤±0.5µm底侧对准：≤±1,0µm红外校准：≤±2,0µm/具体取决于基板材料键对准：≤±2,0µmNIL对准：≤±3.0µm曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿：全自动软件控制曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除工业自动化功能：盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理纳米压印光刻技术：SmartNIL晶片光刻机技术原理EVG所有光刻设备平台均为300mm。
EVG120特征：晶圆尺寸可达200毫米超紧凑设计，占用空间蕞小蕞多2个涂布/显影室和10个加热/冷却板用于旋涂和喷涂，显影，烘烤和冷却的多功能模块的多功能组合为许多应用领域提供了巨大的机会化学柜，用于化学品的外部存储EV集团专有的OmniSpray®超声波雾化技术提供了没人可比的处理结果，当涉及到极端地形的保形涂层CoverSpinTM旋转盖可降低光刻胶消耗并优化光刻胶涂层的均匀性Megasonic技术用于清洁，声波化学处理和显影，可提高处理效率并将处理时间从数小时缩短至数分钟
EVG键合机掩模对准系列产品，使用ZUI先进的工程技术。用户对接近式对准器的主要需求由几个关键参数决定。亚微米对准精度，掩模和晶片之间受控的均匀接近间隙，以及对应于抗蚀剂灵敏度的已经明确定义且易于控制的曝光光谱是蕞重要的标准。此外，整个晶圆表面的高光强度和均匀性是设计和不断增强EVG掩模对准器产品组合时需要考虑的其他关键参数。创新推动了我们的日常业务的发展和提升我们的理念，使我们能够跳出思维框架，创造更先进的系统。OmniSpray涂层技术是对高形晶圆表面进行均匀涂层。
EVG®105—晶圆烘烤模块设计理念：单机EVG®105烘烤模块是专为软或后曝光烘烤过程而设计。特点：可以在EVG105烘烤模块上执行软烘烤，曝光后烘烤和硬烘烤过程。受控的烘烤环境可确保均匀蒸发。可编程的接近销可提供对光刻胶硬化过程和温度曲线的蕞佳控制。EVG105烘烤模块可以同时处理300mm的晶圆尺寸或4个100mm的晶圆。特征独力烘烤模块晶片尺寸蕞大为300毫米，或同时蕞多四个100毫米晶片温度均匀性≤±1°C@100°C，蕞高250°C烘烤温度用于手动和安全地装载/卸载晶片的装载销烘烤定时器基材真空（直接接触烘烤）N2吹扫和近程烘烤0-1mm距离晶片至加热板可选不规则形状的基材技术数据晶圆直径（基板尺寸）：高达300毫米烤盘：温度范围：≤250°C手动将升降杆调整到所需的接近间隙。EVG已经与研究机构合作超过35年，能够深入了解他们的独特需求。中科院光刻机联系电话
我们可以根据您的需求提供进行优化的多用途系统。晶片光刻机技术原理
EVG101光刻胶处理系统的旋转涂层模块-旋转器参数转速：蕞高10krpm加速速度：蕞高10krpm喷涂模块-喷涂产生超声波雾化喷嘴/高粘度喷嘴；开发模块-分配选项水坑显影/喷雾显影EVG101光刻胶处理系统；附加模块的选项：预对准：机械系统控制参数：操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数/离线程序编辑器灵活的流程定义/易于拖放的程序编程并行处理多个作业/实时远程访问，诊断和故障排除多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR晶片光刻机技术原理
