对于切换差不可调的开关，只需要调整动作值即可，将标准压力校验器输出值设定到动作值大小，之后调整设定值调节螺丝，直到微动开关在该值附近触发开关信号。随后增大调整压力校验器输出值，再缓慢降低，直到压力开关执行复位动作并发出开关信号，反复几次调整直到实际动作值和预设定值一致，且实际复位值数值=设定值-切换差。将开关自带的调整螺丝卡扣卡紧，防止设定值变动。对于切换差可调的开关，执行上述步骤完成动作值调整后，还需调整切换差的大小。保证设定值不改变后，将压力输出调到预设的下切换差，旋转切换差调整螺丝，直到压力开关在预设值附近执行回复动作并发出开关信号，反复几次直到实际复位值与设定的下切换差一致。卡紧卡扣，防止预设值变动。控制点可以自由设定，迟滞小，抗震动，响应快，稳定可靠。甘肃差压控制器
D511/7D,0811611、0801611、0811613、0851681、0841681压力控制器.本控制器选用波纹管式传感器，用于腐蚀性气体和液体介质。设定值调节规模：0.03～1Mpa。首要技能功能
作业粘度：<1╳10-3m2/s
开关元件：微动开关
外壳防护等级：IP65（契合DIN40050，与GB4208中IP65相当）
环境温度：-5～40℃
介质温度：0～90℃
抗振功能：D511/7D：40m/s2D511/7DK：20m/s2
重复性过错：≤1%
触点容量：AC220V6A
特点
使用温度规模大，可用于腐蚀性介质。 控制器出厂价压力开关是一种简单的压力控制装置，当被测压力达到额定值时，压力开关可发出警报或控制信号。
现在，压力控制器提供许多基于软件的功能、更快和更多的计算机接口、不同的压力准确度和传感器模块。还提供各种压力控制类型，有些提供高速度和较低的控制精度，有些提供较高的控制精度，但实现设定点的时间较长。这对于传感器制造商(制造各种压力传感器，从低压到高压，从低准确度到高准确度)来说，意味着必须投资许多不同的压力控制标准。在制造低压传感器过程中所用到的压力控制器型号可能与制造高压传感器所用到的压力控制器型号不同；制造低准确度传感器所使用的压力控制器型号可能与制造高准确度传感器所用到的压力控制器型号不一样。即使自动压力控制器已经发展到满足传感器生产管理人员的更多需求，但还没有满足他们对单个压力控制器的较大需求，以满足传感器制造商的所有当前需求和未来需求。
扩散硅压力传感器原理及应用工作原理被测介质的压力直接作用于控制器的膜片上（不锈钢或陶瓷），使膜片产生与介质压力成正比的微位移，使传感器的电阻值发生变化，和用电子线路检测这一变化，并转换输出一个对应于这一压力的标准测量信号。 表压压力传感器和变送器由双膜片构成：钛合金测量膜片和钛合金接收膜片。印刷有异质外延性应变灵敏电桥电路的蓝宝石薄片，被焊接在钛合金测量膜片上。被测压力传送到接收膜片上（接收膜片与测量膜片之间用拉杆坚固的连接在一起）。在压力的作用下，钛合金接收膜片产生形变，该形变被硅-蓝宝石敏感元件感知后，其电桥输出会发生变化，变化的幅度与被测压力成正比。压力开关的引出线应用防水套管锁定，采用观察检查进行技术检测。
霍尔压力传感器：霍尔压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导线中的电子受到洛伦兹力而聚集，从而在电子聚集的方向上产生一个电场，此电场将会使后来的电子受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力，使得后来的电子能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。当磁场为一交变磁场时，霍尔电动势也为同频率的交变电动势，建立霍尔电动势的时间极短，故其响应频率高。理想霍尔元件的材料要求要有较高的电阻率及载流子迁移率，以便获得较大的霍尔电动势。常用霍尔元件的材料大都是半导体，包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟InAs)、锗(Ge)、砷化镓GaAs)及多层半导体质结构材料，N型硅的霍尔系数、温度稳定性和线性度均较好，砷化镓温漂小，目前应用。雨淋系统和防火分隔水幕系统的水流报警装置宜采用压力开关。甘肃差压控制器
正确的设置数显压力开关，各个参数都要设定在数显压力开关的额定范围之内，万万不可超负荷工作。甘肃差压控制器
压阻压力传感器是指利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。它又称为扩散硅压阻压力传感器，它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力，而是直接通过硅膜片感受被测压力的。压阻压力传感器主要基于压阻效应（Piezoresistiveeffect）。压阻效应是用来描述材料在受到机械式应力下所产生的电阻变化。不同于压电效应，压阻效应只产生阻抗变化，并不会产生电荷。大多数金属材料与半导体材料都被发现具有压阻效应。其中半导体材料中的压阻效应远大于金属。由于硅是现今集成电路的主要原料，以硅制作而成的压阻性元件的应用就变得非常有意义。硅的电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变，而且也来自材料本身与应力相关的电阻，这使得其程度因子大于金属数百倍之多。N型硅的电阻变化主要是由于其三个导带谷对的位移所造成不同迁移率的导带谷间的载子重新分布，进而使得电子在不同流动方向上的迁移率发生改变。其次是由于来自与导带谷形状的改变相关的等效质量(effectivemass)的变化。在P型硅中，此现象变得更复杂，而且也导致等效质量改变及电洞转换。甘肃差压控制器
上海中和自动化仪表有限公司创建于1992年，公司于2007年注入大量技术科技人员，使之成为二位式控制器专业制造公司。
本公司生产的二位式控制器具有***的适用性 ，在电力、石化、冶金工程、船舶制造中有着相应应用。
我公司的宗旨是：中规中矩，诚信待人。
我公司诚意与国内外广大用户竭诚合作，携手共进，共创辉煌。
本公司产品：压力控制器有D系列与Y系列。
差压控制器有D系列与C系列.
温度控制器有D系列与W系列.
靶式流量控制器有：LKB-01,LKB-02.
