ArcticZymes Technologies致力于提供高质量产品，具有良好的批间一致性、稳定可靠的质量、及时的文件及技术支持。ArcticZymes所有产品的开发、生产及销售等都符合ISO13485:2016质量管理体系标准；鉴于生物制品更严格的质控要求，厂家对盐活性核酸酶系列产品（Salt Active Nucleases，SANs）的生产及质控，在符合ISO13485:2016体系基础上，增加了cGMP相应要求，如生产用原辅料是Non-animal和Non-plant来源的，终产品经过0.22µm过滤sterilization，放行检测包括microbes、fungus及内毒检测等，所有标准符合USP-EP要求。US FDA指南要求：重组biologics终产品中，核酸杂质含量低于10ng/dose。甘肃培养基条件中盐核酸酶70950-150
ArcticZymes Technologies推出了SAN HQ高盐核酸酶和M-SAN HQ中盐核酸酶，为生物工艺领域提供了革新性、更高效的方案来解决大规模生产中核酸残留问题。此前，受限于盐浓度和核酸酶活性的负调控效应，行业在核酸残留去除效果和酶成本之间寻找平衡，更多的是让工艺选择适应酶。此后，行业可以根据工艺具体需求而选择更合适的酶产品，既能达到理想的去除效果，又能轻松控制酶用量及综合成本，真正实现让酶适应工艺选择。SAN HQ和M-SAN HQ为行业提供更高效率的解决方案。四川中盐核酸酶70950-160致力于从深海microbe中识别新的冷适应酶，用于分子研究、IVD和biopharma领域。
一般来说，生物生产工艺用的核酸酶以BenzonaseTM（BenzonaseTM是Merck的注册商标）为主，能高效降解任何形式（双链、单链、线状、环状）的DNA和RNA。该酶来自于大自然界普遍存在的S.Marcescen，通过E.coli发酵生产得到。该酶的适宜反应条件是低盐浓度范围（<100mM盐浓度），且酶活随着盐浓度上升而下降，在300mM盐浓度时酶活几乎丧失。对于细胞基因药物常用的两种病毒载体LV和AAV，LV由于含有脂包膜结构一般都在生理盐条件下存在，而AAV在高盐条件下不易团聚、更稳定。而在生理盐浓度及更高浓度条件下，Benzonase活性受到抑制。
对于含包膜的病毒载体，如慢病毒LV、逆转录病毒RV等，在细胞培养上清液中收获。而M-SAN HQ中盐核酸酶，作为市场上更适合生理盐条件的核酸酶，所以，M-SAN HQ成了包膜病毒载体生产的更好选择。优势在于：1. M-SAN HQ兼容多种细胞培养体系，在细胞培养盐浓度条件下具有更优活性；2. M-SAN HQ酶活更高、酶切速度更快，缩短孵育时间；3. M-SAN HQ能够高效剪切染色质到更小片段，简化下游工艺流程；4. 相比Benzonase，M-SAN HQ用量减少1/2-2/3，降低了酶用量及生产成本。在biopharma生产，如细胞基因medicine及vaccine生产中，宿主细胞DNA残留是关键质量参数之一。
ArcticZymes Technologies提供独特特性的盐活性核酸酶（Salt Active Nucleases，SANs）系列产品，主要包含SAN HQ高盐核酸酶和M-SAN HQ中盐核酸酶。这两款酶都是非特异核酸内切酶，跟Benzonase一样能高效降解任何形式（双链、单链、线状、环状）的DNA和RNA；都来自于深海microbes，通过Pichia pastoris发酵生产得到。这两款酶的区别在于发挥酶活的适宜盐浓度不同，——M-SAN HQ中盐核酸酶的适宜盐浓度在175mM-250mM，而SAN HQ高盐核酸酶的适宜盐浓度在400mM-600mM。ArcticZymes Technologies的研发基于北极海洋区的自然资源；江苏ArcticZymes中盐核酸酶70950-202
中盐核酸酶的生产在符合ISO13485:2016体系基础上，增加了cGMP相应要求。甘肃培养基条件中盐核酸酶70950-150
宿主细胞DNA残留的担忧是基于致ai风险理论，特别是生产细胞系所包含的致ai序列，比如较常见腺病毒基因E1A和E1B（HEK293, PerC.6 和CAP 细胞系），人乳tou瘤病毒E6和E7基因（HeLa细胞系)等。当使用致ai细胞系生产AAV时，下游纯化须尽可能减少残留DNA。工业上一般使用核酸酶分解残留DNA，普遍认为小于200 bp的DNA片段可有效降低致ai风险。宿主细胞蛋白残留与免疫原性、炎症或过敏性休克有关。尽管与非人类的生产原料相比（非人类细胞系如BHK21或昆虫细胞，以及辅助病毒如HSV、腺病毒、杆状病毒），人类细胞免疫原性比较弱。甘肃培养基条件中盐核酸酶70950-150
在不同的盐浓度条件下，AAV病毒载体的存在形式不同。低盐浓度条件下，AAV病毒颗粒表面会通过电荷作用...
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