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工作温度:熔断器工作时的环境温度应在规定的工作温度范围之内,当环境温度超过25℃时,应参照温度折减曲线降级使用。2、额定电压:熔断器所在电路中的最高电压不应超过熔断器的额定电压。3、额定电流:通过熔断器的工作电流不应超过额定电流的75%。4、短路截流能力:熔断器所在的电路中可能出现的最大短路电流不应...
玻璃管保险丝, [1]是属于保险管的一种,主要是当电路出现异常时(电流,温度,耐压等出现异常升高)通过熔断自身的熔丝,保护整个电路板及电路安全的安规器件。下面讲解保险管的产品定义,保险管的参数及选型相关注意事项。 热平衡,一般工作时,电流通过FUSE的熔丝产生热量(W=I²Rt),通过传...
快速熔断器的结构熔断器由磁壳、导电板、熔体、石英砂、消弧剂、指示器六部分组成。熔体的材质为纯银,形状为矩形薄片,且具有圆孔狭颈 [1]。快速熔断器的灭弧原理快速熔断器的熔体是由纯银制成的,由于纯银的电阻率低、延展性好、化学稳定性好,因此快速熔断器的熔体可做成薄片,且具有圆孔狭颈结构。发生短路故障时,...
另外,通过模块封装方式还可提供众多派生产品,在大、中容量变换器应用中被寄予厚望。日本东芝开发的IEGT利用了“电子注入增 应”,使之兼有IGBT和GTO两者的优点:低饱和压降,宽安全工作区(吸收回路容量 为GTO的1/10左右),低栅极驱动功率(比GTO低两个数量级)和较高的工作频率。器件采用平板压...
IEGT的参数指标如下:1、集-射极大额定电压指栅极到发射极短路时,器件集电极到发射极能承受的大直流电压。2、栅-射极大额定电压指集电极到发射极短路时,器件栅极能承受的大电压,一般其对值在20V以内。3、集-射极通态电压指在额定集电极电流、规定的结温下集电极到发射极的电压。4、栅-射极关断电压指在栅...
MAX810L(微功耗器件)具有非平衡推挽输出级。当对外输出电流时,它等效于一个6kΩ电阻;当从外汲取电流时,它等效于一个125Ω的电阻。当导通或关断Q1时,由于MAX810L的电阻阻止了Q1的密勒电容和栅源电容快速充放电,因此使开关瞬态过程得以减慢。假定Q1总的等效电容为5000pF时,则MAX8...
能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等,以实现精某准调控的目的。因此,IGBT 被称为电力电子行业里的“CPU”,广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。随着新能源汽车的发展以及变频白色家电的普及,IGBT 的市...
在春检停电检修时应对熔断器做如下内容的检查: ①静、动触头接触是否吻合,紧密完好,有否烧伤痕迹。 ②熔断器转动部位是否灵活,有否锈蚀、转动不灵等异常,零部件是否损坏、弹簧有否锈蚀。 ③熔体本身有否受到损伤,经长期通电后有无发热伸长过多变得松弛无力。 ④熔管经多次动作管内产气用消弧管是...
跌落式熔断器 [1]是10kV配电线路分支线和配电变压器常用的一种短路保护开关。跌落式熔断器安装在10kV配电线路分支线上,可缩小停电范围,因其有一个明显的断开点,具备了隔离开关的功能,给检修段线路和设备创造了一个安全作业环境。安装在配电变压器上,可以作为配电变压器的主保护。它具有经济、操作方便、适...
b、主电路用螺丝拧紧,控制极g要用插件,尽可能不用焊接方式。c、装卸时应采用接地工作台,接地地面,接地腕带等防静电措施。 d、仪器测量时,将1000电阻与g极串联。e、要在无电源时进行安装。f,焊接g极时,电烙铁要停电并接地,选用定温电烙铁 合适。当手工焊接时,温度260±5℃.时间(10±1...
跌落式熔断器由绝缘支座、动静触头、熔丝管三部分组成。静触头安装在绝缘支座两端,熔丝管由内层的消弧管和外层的酚醛纸管或还氧玻璃纤维布管组成。 跌落式熔断器适用于频率为50HZ、额定电压为35KV及以下的电力系统中,装在配电变压器高压侧或配电之干线路上。主要功能有对保护性能要求不高的地方,它可...
保护单台长期工作的电机熔体电流可按大起动电流选取,也可按下式选取:IRN ≥ (1.5~2.5)IN式中IRN--熔体额定电流;IN--电动机额定电流。如果电动机频繁起动,式中系数可适当加大至3~3.5,具体应根据实际情况而定。3、保护多台长期工作的电机(供电干线)IRN ≥ (1.5~2.5)IN...
红表笔接5端子,此时黑表笔接3端子红表笔接1端子, 此时电阻应为300-400欧,把表笔对调也有大约300-400欧的电阻表明此IGBT单元是完好的. 用同样的方法测试1、2端子间的IGBT,若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的。 将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT 的漏极(D),红...
电路中的导线都有通过其允许通过的 大电流,如果超过了这个 大值,导线就会过热而烧坏绝缘皮,甚至引起火灾.为了避免这种事故的发生,在电路中串入电阻率较大而熔点较低的熔丝,一般由铅锑合金制成.当有过大的电流通过时,熔丝产生较多的热量,使它的温度迅速达到熔点,于是熔丝熔断,自动切断电路从而起到保险作用...
计算保险管的额定电流In额定电流In=Irm/(Sc*Tc)In表示保险管的额定电流Irm表示电路中 大工作电流Tc表示温度衰减率(参考温度曲线图)美规的安全衰减率为:Sc--0.75欧规的安全衰减率为:Sc--0.9日规的安全衰减率为:Sc--0.85主:计算出的In是选用保险丝的 小额定电流,需...
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。使用中当IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,使原件发热加剧,因此,选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时,由于开关损耗增大,发热加剧,选用时应该降等使用。IGBT Mod...
薄型温度保险丝是专门开发用于锂离子电池过温保护的,其工作原理同上述第二种温度保险丝,用低熔点合金连接回路,低熔点合金周围包裹助熔树脂,低熔点合金与金属导片连接,并被塑料材料所密封。当电池内部或外部产生短路或其它原因导致电池内部温度升高至一定水平,紧贴着电芯的温度保险丝就会快速熔断,从而切断电池的外部...
下列事项是为确保温度保险丝正常操作必须遵守的事项:方形温度保险丝(2张)i)各温度保险丝有额定电流和电压、熔断温度(Tf)、使用温度(Th)、 大温度(Tm)要在规定的参数下使用。ii)选定保险丝安装位置时要注意不能因成品内的震动及其他配件的变位,令应力转嫁到保险丝上。iii)要安装在温度保险丝熔断...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流...
b、主电路用螺丝拧紧,控制极g要用插件,尽可能不用焊接方式。c、装卸时应采用接地工作台,接地地面,接地腕带等防静电措施。 d、仪器测量时,将1000电阻与g极串联。e、要在无电源时进行安装。f,焊接g极时,电烙铁要停电并接地,选用定温电烙铁 合适。当手工焊接时,温度260±5℃.时间(10±1...
电力熔断器的结构与熔断器的结构大致相同。它主要由熔体、外壳和支座3部分组成,其中熔体是控制熔断特性的关键元件。熔体的材料、尺寸和形状决定了熔断特性。熔体材料分为低熔点和高熔点两类。低熔点材料如铅和铅合金,其熔点低容易熔断,由于其电阻率较大,故制成熔体的截面尺寸较大,熔断时产生的金属蒸气较多,只适用于...
在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极 额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。此外,在栅极—发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集...
栅极漏电流指对应集-射极短路,Vce=20V时,,栅极的漏电流。8、集电极关断电流指栅极到发射极短路,集-射极电压为20V时,集电极的电流。9、高结温指IEGT从可正常使用而不损坏时,所允许的内部PN结高温度。10、导通损耗指IEGT从关断到导通的全过程中总的能量损耗,其终的集电极电流为器件的额定电...
像上面说的,熔断器的熔断是电流和时间共同作用的结果起到对线路进行保护的作用,它是一次性的。而断路器是电路中的电流突然加大,超过断路器的负荷时,会自动断开,它是对电路一个瞬间电流加大的保护,例如当漏电很大时,或短路时,或瞬间电流很大时的保护。当查明原因,可以合闸继续使用。正如上面所说,熔断器的熔断是电...
牵引传动等领域。什么是 IGBT 模块IGBT 模块是由 IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与 FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的 IGBT 模块直接应用于变频器、UPS 不间断电源等设备上;IGBT 模块的特点与市场IGBT 模块具有节能、安装维修方便、...
尤其是集成度很高的单片片上功率系统(power system on a chip,简写psoc),它能把传感器件与电路、信号处理电路、接口电路、功率器件和电路等集成在一个硅芯片上,使其具有按照负载要求精密调节输出和按照过热、过压、过流等情况自我进行保护的智能功能。国际把它的发展喻为第二次电子学。...
保护单台长期工作的电机熔体电流可按大起动电流选取,也可按下式选取:IRN ≥ (1.5~2.5)IN式中IRN--熔体额定电流;IN--电动机额定电流。如果电动机频繁起动,式中系数可适当加大至3~3.5,具体应根据实际情况而定。3、保护多台长期工作的电机(供电干线)IRN ≥ (1.5~2.5)IN...
1979年,MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构(P-N-P-N四层组成),其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。80年代初期,用于功率MOSFET制造技术的DMOS(双扩散形成的金属-氧化物-半导体)工艺被采用到IGBT中来。[2]在那...
.为使熔断器能更可靠、安全的运行,除按规程要求严格地选择正规厂家生产的合格产品及配件(包括熔件等)外,在运行维护管理中应特别注意以下事项: ①熔断器具额定电流与熔体及负荷电流值是否匹配合适,若配合不当必须进行调整。 ②熔断器的每次操作须仔细认真,不可粗心大意,特别是合闸操作,必须使动、静触头接触...
其二,当由于某种原因,比如人为关闭,使开关振荡电路停止工作,负载端仍然有电压存在,只是比输入端低一个二极管的管压降而已,这时输出仍会消耗能量。除此之外,如果该残存电压低于负载稳态工作电压范围,将使电路处于不确定状态。对于输出电流相对较小的应用场合(小于5A),利用单片电流模式控制器和高 电流取样技术...