IGBT功率模块是以绝缘栅双极型晶体管（IGBT）构成的功率模块。由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离，具有出色的器件性能。广泛应用于伺服电机、变频器、变频家电等领域。IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速...

尤其是集成度很高的单片片上功率系统(power system on a chip，简写psoc)，它能把传感器件与电路、信号处理电路、接口电路、功率器件和电路等集成在一个硅芯片上，使其具有按照负载要求精密调节输出和按照过热、过压、过流等情况自我进行保护的智能功能。国际把它的发展喻为第二次电子学。...

按使用范围分，可分为:电力保险丝、机床保险丝、电器仪表保险丝(电子保险丝)、汽车保险丝。按体积分，可分为:大型、中型、小型及微型。按额定电压分，可分为:高压保险丝、低压保险丝和安全电压保险丝。按分断能力分，可分为:高、低分断能力保险丝。按形状分，可分为:平头管状保险丝(又可分为内焊保险丝与外焊保险丝...

检查熔断器外观（取下熔断器管）有无损伤、变形，瓷件有无放电闪烁痕迹；（3）检查熔断器，熔体与被保护电路或设备是否匹配，如有问题应及时调查；（4）注意检查在TN接地系统中的N线，设备的接地保护线上，不允许使用熔断器；（5）维护检查熔断器时，要按安全规程要求，切断电源，不允许带电摘取熔断器管。断路器也...

1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构(P-N-P-N四层组成)，其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS(双扩散形成的金属-氧化物-半导体)工艺被采用到IGBT中来。[2]在那...

因为在保险丝特别是微型保险丝使用时，当故障电流过大或短路断开瞬间，其上会产生能量强大的电弧，电弧会产生瞬间高温，此时就需要灭弧剂对其进行电弧的扑灭，灭弧剂中的SiO2主要作用是瞬间吸取电弧的热量，避免电弧产生的离子因高温条件下被拉弧，而氯化盐作用，当电弧产生时，氯化盐会因电弧高温分解，同时吸收电弧热...

敞开式熔断器结构简单，熔体完全暴露于空气中，由瓷柱作支撑，没有支座，适于低压户外使用。分断电流时在大气中产生较大的声光。半封闭式熔断器的熔体装在瓷架上，插入两端带有金属插座的瓷盒中，适于低压户内使用。分断电流时，所产生的声光被瓷盒挡住。管式熔断器的熔体装在熔断体内。然后插在支座或直接连在电路上使用。...

IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用...

电力电路及大功率设备所使用的保险丝，不仅有一般保险丝的三个部分，而且还有灭弧装置，因为这类保险丝所保护的电路不仅工作电流较大，而且当熔体发生熔断时其两端的电压也很高，往往会出现熔体已熔化(熔断)甚至已汽化，但是电流并没有切断，其原因就是在熔断的一瞬间在电压及电流的作用下，保险丝的两电极之间发生拉弧现...

防爆保险丝也是电流保险丝的一种，伴随着电流不断升高，并且升高的电流有可能损坏电路中的某些重要器件或贵重器件，也有可能烧毁电路甚至造成火灾。防爆保险丝就是保险丝正常保护基础上，电流异常升高到一定的高度和热度的时候，自身熔断切断电流而不发生爆 、燃烧等现象从而 地提升了安全性。 若电路中正确地...

当前使用较多的是98℃和92℃的薄型温度保险丝，在1℃/分的升温速度下，98℃薄型温度保险丝的熔断温度为94±3，92℃薄型温度保险丝的熔断温度为89+3/-4，即85℃~92℃。dangqian国内已有厂家在开发更高熔断温度的薄型温度保险丝。温度保险丝可以分为：按材质分：可以分为金属壳，塑胶壳，氧...

熔断器应安装在离地面垂直距离不小于4m的横担(构架)上，若安装在配电变压器上方，应与配变的 外轮廓边界保持0.5m以上的水平距离，以防万一熔管掉落引发其他事故。(5) 熔管的长度应调整适中，要求合闸后鸭嘴舌头能扣住触头长度的三分之二以上，以免在运行中发生自行跌落的误动作，熔管亦不可顶死鸭嘴，以防止熔...

实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低，开关频率高（可达20KHZ），这两点非常显某著的特性，近西门子公司又推出低饱和压降（2.2V）的NPT—IGBT性能更佳，相继东芝、富士、IR、摩托罗拉亦已在开发研制新品种。IGBT模块...

。当制作保险丝的材料及其形状确定了，其电阻R就相对确定了（若不考虑它的电阻温度系数）。当电流流过它时，它就会发热，随着时间的增加其发热量也在增加。电流与电阻的大小确定了产生热量的速度，保险丝的构造与其安装的状况确定了热量耗散的速度，若产生热量的速度小于热量耗散的速度时，保险丝是不会熔断的。若产生热量...

实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低，开关频率高（可达20KHZ），这两点非常显某著的特性，近西门子公司又推出低饱和压降（2.2V）的NPT—IGBT性能更佳，相继东芝、富士、IR、摩托罗拉亦已在开发研制新品种。IGBT模块...

电力熔断器的结构与熔断器的结构大致相同。它主要由熔体、外壳和支座3部分组成,其中熔体是控制熔断特性的关键元件。熔体的材料、尺寸和形状决定了熔断特性。熔体材料分为低熔点和高熔点两类。低熔点材料如铅和铅合金,其熔点低容易熔断,由于其电阻率较大,故制成熔体的截面尺寸较大,熔断时产生的金属蒸气较多,只适用于...

对准：操作时使跌落式熔断器动触头对准其静触头，以确保合位的准确性。5.合上：在合高压跌落式熔断器时，必须迅速、果断、准确，但在合到底时，不能用力过猛，以防损坏支持绝缘子及其他设备。除此之外：高压跌落式熔断器在日常运行中还存在熔断件的电流特性不稳定，随着运行环境、温度的变化，造成配合失误、越级跳闸等现...

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流...

插入式熔断器：它常用于380V及以下电压等级的线路末端，作为配电支线或电气设备的短路保护用。螺旋式熔断器：熔体上的上端盖有一熔断指示器，一旦熔体熔断，指示器马上弹出，可透过瓷帽上的玻璃孔观察到，它常用于机床电气控制设备中。螺旋式熔断器。分断电流较大，可用于电压等级500V及其以下、电流等级200A以...

像上面说的，熔断器的熔断是电流和时间共同作用的结果起到对线路进行保护的作用，它是一次性的。而断路器是电路中的电流突然加大，超过断路器的负荷时，会自动断开，它是对电路一个瞬间电流加大的保护，例如当漏电很大时，或短路时，或瞬间电流很大时的保护。当查明原因，可以合闸继续使用。正如上面所说，熔断器的熔断是电...

另外，通过模块封装方式还可提供众多派生产品，在大、中容量变换器应用中被寄予厚望。日本东芝开发的IEGT利用了“电子注入增 应”，使之兼有IGBT和GTO两者的优点：低饱和压降，宽安全工作区(吸收回路容量 为GTO的1/10左右)，低栅极驱动功率(比GTO低两个数量级)和较高的工作频率。器件采用平板压...

一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小...

由于 IGBT 的技术门槛高、技术难度大、资金要求高，国内企业产业化起步较晚，IGBT 市场仍主要由欧美日企业占据，随着IGBT 模块的广泛应用，市场需求量逐步增大，众多国内企业开始发力 IGBT 领域，国内产业化水平有了一定提升，部分企业已经实现量产，但与国外企业相比，仍有一定差距。易事特、国电南...

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流...

其中MAX668是一个开关控制器，由它完成升压功能。电流反馈型升压控制器（MAX668）驱动低端逻辑电平N沟道增强型MOSFET，该开关管通过低端电流取样电阻到地。 开关是一肖特基二极管，选择它主要是它具有低的正向导通压降。由图7可见，升压变换器的拓扑基本结构未被破坏。本应用中，MAX668把3.3...

IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优某选的门级驱动及保护电路构成，如图1所示。其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个...

保护单台长期工作的电机熔体电流可按大起动电流选取，也可按下式选取：IRN ≥ (1.5～2.5)IN式中IRN--熔体额定电流；IN--电动机额定电流。如果电动机频繁起动，式中系数可适当加大至3～3.5，具体应根据实际情况而定。3、保护多台长期工作的电机（供电干线）IRN ≥ (1.5～2.5)IN...

即绝缘栅双极晶体管，由双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）组成的复合全控型电压驱动式电子电力器件，是一种电压控制开关型功率半导体器件，也是电能转换的核某心器件。IGBT 可分为单管、模块和智能功率模块（IPM）三类产品。IGBT 自 20 世纪 80 年代末开始工业化应...

当前 薄的温度保险丝可做到0.65mm厚，宽度可以做到2.7mm。温度保险丝的内阻也很小，只有8mΩ左右，待机状态的功耗很小，可以 增加锂离子电池的待机时间。它也有一定的缺点，首先它是不可恢复的，不如PTC那样，即使出现偶然的故障导致PTC动作，一旦故障排除，电池还可以继续工作。温度保险丝一旦动作...

90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT，它是采用从大规模集成(LSI)工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺，但仍然是穿通(PT)型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中，实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变，先是采用非穿通(NPT)结构，...