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俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。IGBT 模块的制造工艺和流程生产制造流程:丝网印刷➔ 自动贴片➔真空回流焊接➔超声波清洗➔缺陷检测(X 光)➔自动引线键合➔激光打标➔壳体塑封➔壳体灌胶与固化➔端子成形➔功能测...
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。使用中当IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,使原件发热加剧,因此,选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时,由于开关损耗增大,发热加剧,选用时应该降等使用。IGBT Mod...
变频家电格力电器、美的集团、海尔智家、海信、新宝股份、石头科技、松下...● 工业控制汇川技术、施耐德、 西门子、霍尼韦尔...● IGBT企业英飞凌、三菱电机、富士电机、日立、赛米控、丹佛斯、斯达半导、士兰微、上汽英飞凌、扬杰科技、中车时代电气、比亚迪、宏微科技、华润微、台基股份、东海半导体、新洁...
什么是IGBT功率模块IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,其产品水平为1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于变频调速外,600...
防爆保险丝也是电流保险丝的一种,伴随着电流不断升高,并且升高的电流有可能损坏电路中的某些重要器件或贵重器件,也有可能烧毁电路甚至造成火灾。防爆保险丝就是保险丝正常保护基础上,电流异常升高到一定的高度和热度的时候,自身熔断切断电流而不发生爆 、燃烧等现象从而 地提升了安全性。 若电路中正确地...
当同样过电流负载条件下,延时保险丝的动作速度要比快熔断保险丝来得慢一些,但这并不是延时保险丝的反应速度慢,而是延时保险丝熔断需要的能量更大,也可以说它不光是具有对过电流的反应,还具有对过电流类别或能量大小的判别能力。一般来说过电流可分为两大类:浪涌和故障。浪涌过电流大都是由于电路开关时的充放电或周围...
计算保险管的额定电流In额定电流In=Irm/(Sc*Tc)In表示保险管的额定电流Irm表示电路中 大工作电流Tc表示温度衰减率(参考温度曲线图)美规的安全衰减率为:Sc--0.75欧规的安全衰减率为:Sc--0.9日规的安全衰减率为:Sc--0.85主:计算出的In是选用保险丝的 小额定电流,需...
IGBT模块的工作原理是通过控制栅极电压来开关IGBT芯片的导通状态。当栅极电压为正时,IGBT处于导通状态,电流可以从集电极流过。而当栅极电压为零或负时,IGBT处于截止状态,电流无法通过。通过适时地控制栅极电压的变化,IGBT模块可以实现对大功率电流的高效控制。IGBT模块在电力电子领域中扮演着...
保险丝的构造如何?各有什么功效?又有什么要求?一般保险丝由三个部分组成:一是熔体部分,它是保险丝的心,熔断时起到切断电流的作用,同一类、同一规格保险丝的熔体,材质要相同、几何尺寸要相同、电阻值尽可能地小且要一致,重要的是熔断特性要一致;二是电极部分,通常有两个,它是熔体与电路联接的重要部件,它必须有...
像上面说的,熔断器的熔断是电流和时间共同作用的结果起到对线路进行保护的作用,它是一次性的。而断路器是电路中的电流突然加大,超过断路器的负荷时,会自动断开,它是对电路一个瞬间电流加大的保护,例如当漏电很大时,或短路时,或瞬间电流很大时的保护。当查明原因,可以合闸继续使用。正如上面所说,熔断器的熔断是电...
为防止发生越级熔断、扩大事故范围,上、下级(即供电干、支线)线路的熔断器间应有良好配合。选用时,应使上级(供电干线)熔断器的熔体额定电流比下级(供电支线)的大1~2个级差。常用的熔断器有管式熔断器R1系列、螺旋式熔断器RLl系列、填料封闭式熔断器RT0系列及快速熔断器RSO、RS3系列等。低压配电系...
IGBT模块的工作原理是通过控制栅极电压来开关IGBT芯片的导通状态。当栅极电压为正时,IGBT处于导通状态,电流可以从集电极流过。而当栅极电压为零或负时,IGBT处于截止状态,电流无法通过。通过适时地控制栅极电压的变化,IGBT模块可以实现对大功率电流的高效控制。IGBT模块在电力电子领域中扮演着...
IGBT模块是先进的第三代功率模块,工作频率1-20KHZ,主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路,即DC/AC变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史,几乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、MOSFET,双极型达林顿管等,目...
跌落式熔断器由绝缘支座、动静触头、熔丝管三部分组成。静触头安装在绝缘支座两端,熔丝管由内层的消弧管和外层的酚醛纸管或还氧玻璃纤维布管组成。 跌落式熔断器适用于频率为50HZ、额定电压为35KV及以下的电力系统中,装在配电变压器高压侧或配电之干线路上。主要功能有对保护性能要求不高的地方,它可...
在春检停电检修时应对熔断器做如下内容的检查: ①静、动触头接触是否吻合,紧密完好,有否烧伤痕迹。 ②熔断器转动部位是否灵活,有否锈蚀、转动不灵等异常,零部件是否损坏、弹簧有否锈蚀。 ③熔体本身有否受到损伤,经长期通电后有无发热伸长过多变得松弛无力。 ④熔管经多次动作管内产气用消弧管是...
实质是个复合功率器件,它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低,开关频率高(可达20KHZ),这两点非常显某著的特性,近西门子公司又推出低饱和压降(2.2V)的NPT—IGBT性能更佳,相继东芝、富士、IR、摩托罗拉亦已在开发研制新品种。IGBT模块...
)熔体安装时有机械损伤,使其截面积变小而在运行中引起误断。2、拆换熔体时,要求做到:(1)安装新熔体前,要找出熔体熔断原因,未确定熔断原因,不要拆换熔体试送;(2)更换新熔体时,要检查熔体的额定值是否与被保护设备相匹配;(3)更换新熔体时,要检查熔断管内部烧伤情况,如有严重烧伤,应同时更换熔管。瓷熔...
快速熔断器是一种熔断器的一种,快速熔断器主要用于半导体整流元件或整流装置的短路保护。由于半导体元件的过载能力很低。只能在极短时间内承受较大的过载电流,因此要求短路保护具有快速熔断的能力。快速熔断器的结构和有填料封闭式熔断器基本相同,但熔体材料和形状不同,它是以银片冲制的有V形深槽的变截面熔体。快速熔...
一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5~35℃,常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区,需用加湿;尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象,因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;保管时,须注...
一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5~35℃,常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区,需用加湿;尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象,因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;保管时,须注...
限流特性好,分断能力高;(3)相对尺寸较小;(4)价格较便宜。2、熔断器的主要缺点和弱点(1)故障熔断后必须更换熔断体;(2)保护功能单一,只有一段过电流反时限特性,过载、短路和接地故障都用此防护;(3)发生一相熔断时,对三相电动机将导致两相运转的不良后果,当然可用带发报警信号的熔断器予以弥补,一相...
快速熔断器是一种熔断器的一种,快速熔断器主要用于半导体整流元件或整流装置的短路保护。由于半导体元件的过载能力很低。只能在极短时间内承受较大的过载电流,因此要求短路保护具有快速熔断的能力。快速熔断器的结构和有填料封闭式熔断器基本相同,但熔体材料和形状不同,它是以银片冲制的有V形深槽的变截面熔体。快速熔...
什么是 IGBTIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由 BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和...
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。使用中当IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,使原件发热加剧,因此,选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时,由于开关损耗增大,发热加剧,选用时应该降等使用。IGBT Mod...
分断能力强发生短路故障时,圆孔狭颈处首先被熔断,电弧被石英砂分隔成许多小段,电弧被很快熄灭。由于石英砂是绝缘的,电弧熄灭后,熔断器立即变成一个绝缘体,将电路分断。因而快速熔断器分断能力强,可高达50kA。负载设备承受的冲击能量小电路出现短路故障时,负载设备承受的冲击能量为W=I²Rt式中,I—短路电...
正常工作电流在25℃条件下运行,保险丝的电流额定值通常要减少25%以避免有害熔断。大多数传统的保险丝其采用的材料具有较低的熔化温度。因此,该种保险丝对环境温度的变化比较敏感。例如一个电流额定值为10A的保险丝通常不推荐在25℃环境温度下在大于7.5A的电流下运行。2.电压额定值保险丝的电压额定值必...
散热基板(铜、铝碳化硅AlSiC):海特信、谷捷、百富都机电、嘉善高磊金属制品、CPS、Denka、苏州思萃、西安明科、西安创正、西安法迪、富仕多、西安晶奕、北京宝航、湖南浩威特、苏州汉汽航空、泰格尔、日本精密陶瓷...硅胶:陶氏化学、日本信越、埃肯、迈图、瓦克、杭州之江、上海拜高、晨日科技、成都拓...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流...
熔断器的主要优点①选择性好。上下级熔断器的熔断体额定电流只要符合国标和IEC标准规定的过电流选择比为1.6:1的要求,即上级熔断体额定电流不小于下级的该值的1.6倍,就视为上下级能有选择性切断故障电流;②限流特性好,分断能力高;③相对尺寸较小;④价格较便宜。2、熔断器的主要缺点①故障熔断后必须更换熔...
线路中各级熔断器熔体额定电流要相应配合,保持前一级熔体额定电流必须大于下一级熔体额定电流;4、熔断器的熔体要按要求使用相配合的熔体,不允许随意加大熔体或用其他导体代替熔体。熔断器巡视检查:1、检查熔断器和熔体的额定值与被保护设备是否相配合;2、检查熔断器外观有无损伤、变形,瓷绝缘部分有无闪烁放电痕迹...